迄今最强！三星将推出 280 层堆叠 3D QLC NAND 快闪存储器

在即将于 2/18~2/22 于旧金山举行的 IEEE 国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国三星预计将展示其 GDDR7 存储器，以及 280 层堆叠的 3D QLC NAND 快闪存储器技术。其中， 在 280 层堆叠的 3D QLC NAND 快闪存储器技术方面，一旦正式推出，将成为迄今为止储存资料密度最高的新型 3D QLC NAND 快闪存储器技术。
根据三星提供的主题“A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm2 Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate”来观察，其 280 层堆叠 1Tb QLC 3D QLC NAND 快闪存储器将具有以下的特性。
首先，280 层堆叠指的是该建议体将由 280 层的储存单元垂直堆叠而成，进一步提高了储存密度。其次，1Tb 的容量则是指该快闪存储器的储存容量密度为 1024 G bit。第三，4b / cell 是指每个储存单元可以储存 4 个二进位，即每数据占用 0.25 个储存单元，进一步提高了储存密度。
第三，3D-NAND 是指该快闪存储器所采用的是 3D 堆叠技术，透过垂直堆叠储存单元来增加储存密度。第四则是 28.5Gb / mm2 面积密度。是指每平方公厘储存单元可储存 28.5Gb 资料，代表其储存密度极高。最后则是 3.2GB/s High-Speed 10 Rate，是指该快闪存储器芯片读取资料的最高速度为 3.2GB/s，High-Speed 10 Rate 可能指的是某种特定的介面或传输协议。
根据三星 PPT 来看，QLC NAND V9 快闪存储器可以提供最高 8TB 的 M.2 硬碟，IO 速度超过单个芯片 2.4Gbps，原始性能可与当今 TLC 快闪存储器直接竞争。但具体上市产品表现如何，则仍需要后续的持续观察。