国产HBM目前还是空白

日经新闻报导，中国大陆DRAM大厂长鑫存储正加紧努力，要打造出首款国产高频宽存储器（HBM），并已向应用材料（Applied Materials）和科林研发（Lam Research）等业者订购设备。中国大陆还没有本土芯片制造商能生产HBM来加速AI运算。

知情人士说，长鑫存储已从美国和日本供应商那里订购、并且收到了一些适合生产和组装HBM的制造和测试设备。一位芯片业主管表示，长鑫存储急于取得尚未受到出口管制的HBM生产设备，即使其HBM技术尚未达到量产程度。
报导指出，去年来，长鑫存储优先发展垂直堆叠DRAM芯片的技术，以便复制HBM芯片架构。消息人士说，应材和科林研发等一些美国主要设备供应商已取得华府许可，2023年中开始向中国大陆的存储器制造商提供芯片生产工具。
长鑫存储去年底宣布，已开始生产中国大陆首批LPDDR5存储器芯片。这使得长鑫存储在技术方面仅次于美光（Micron）和SK海力士，领先台湾的南亚科技，后者更专注于专业市场而非大众消费电子产品业务。
但长鑫存储2023年在全球DRAM的市占率还不到1%，三星、SK 海力士、美光三大巨头则控制了97%的市场。
三星和SK海力士主导HBM的生产，2023年市占率合计逾92%。美光则为约4%~6%。
Counterpoint半导体分析师指出，大陆的HBM自给自足目标将面临许多挑战，“当DRAM技术落后全球对手，你的HBM技术在商业化市场的竞争将居于劣势。遑论HBM的生产需要复杂的设计和制造技术。这可能是个陡峭的攀爬过程。中国大陆要打破该领域由国际主导的现况并非易事。其首要目标仍是满足国内需求”。