消息称三星将发布超高速32Gb DDR5内存芯片

2 月 5 日消息，据报道，三星将在即将到来的 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。
除了之前公布的 GDDR7 内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。
虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息，但我们知道，这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引脚 8000Mbps，并且采用三星第五代 10nm 级晶圆代工节点的 Symmetric-Mosaic 架构设计，专门针对 DRAM 产品量身定制。