HBM市场预计翻倍增长，三星正考虑改采竞争对手的MUF技术

 面对人工智慧芯片制造竞赛的加热，三星电子可能改采竞争对手SK海力士（SK Hynix）所使用的芯片制造技术，作为全球顶尖的存储器芯片制造商，三星正寻求在制造用于推动人工智慧的高端芯片的竞赛中赶上进度。

背景故事
随着生成式AI的日益流行，对HBM芯片的需求激增。根据研究机构的数据，由于AI相关需求，预计HBM芯片市场今年将增长超过一倍，达到近90亿美元。
然而，与SK海力士和美光科技不同，三星在与AI芯片领导者Nvidia进行最新HBM芯片供应的协商上显得缺席。
三星之所以落后，部分原因是其坚持使用导致生产问题的非导电膜（NCF）芯片制造技术，而海力士则转用大量回焊模塑封装（MR-MUF）方法来克服NCF的缺点。然而，三星近期已下单购买用于处理MUF技术的芯片制造设备。
三星表示其NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”，并将在其新的HBM3E芯片中使用。对于是否将应用MR-MUF于其HBM生产的传言，三星予以否认。
NCF技术遭遇的困难
因为使用热压薄膜有助于最小化堆叠芯片之间的空间，理应是最佳解决方案没错，但是无法克服的是生产良率问题。
随着层次越来越多，与黏合材料相关的问题经常发生，因为制造过程变得更加复杂。三星表示其最新的HBM3E芯片拥有12层芯片。芯片制造商一直在寻找解决这些弱点的替代方案。
SK海力士已经成功地转换到大量回焊模塑封装技术，并成为首家向Nvidia供应HBM3芯片的供应商。
根据KB证券分析师Jeff Kim的估计，SK海力士在Nvidia的HBM3及更先进HBM产品的市场份额今年预计超过80%。而三星的HBM3系列芯片尚未通过Nvidia的供应协议资格审核。
分析师皆认为，三星的HBM3芯片生产良率约为10-20%，落后于海力士在HBM3约60-70%的良率。三星反驳了这一生产良率估计，声称已获得“稳定的良率”但未详细说明。
根据路透社于本周的报导，三星有可能双向并进，同时采用NCF与MR-MUF技术进行生产。
因为三星已开始与包括日本的长濑（Nagase）在内的材料制造商进行谈判，以获得MUF材料。但使用MUF技术大量生产高端芯片最早要到明年才可能准备就绪，因三星需要进行更多测试。
去年行业使用的产能和预测的未来需求增加额，表明该行业仍然是是谨慎的扩张而非过度。
DRAM产业在HBM和DDR之间的产能分配，将取决于整体DRAM供需平衡。
根据Gartner预估，2023年整体存储器需求来自HBM的位元比重(bit demand)约占整体的1.4%，2024/2025年的预估占比为3.5%/5.3%。
由于HBM是卖到服务器DDR市场，若把服务器DDR位元数当作整体的话，那么HMB占比在2023年的占比约5%，2024/2025年的预估占比为11%/15%。