2024年HBM供应紧俏

2024年HBM供给位元年增预估高达260% 产能将占DRAM产业14%。整体 DRAM 产业规划生产 HBM TSV 的产能约为 250K/m，占总 DRAM 产能（约 1,800K/m）约 14%，供给位元年成长约 260%；同时 2024 年底 HBM 产值在 DRAM 整体产业的占比，也预估将从 2023 年的 8.4%，提高至 20.1%。
HBM 供应市况紧俏 2024 年订单量持续攀升
以 HBM 及 DDR5 生产差异来看，其 Die Size 大致上较 DDR5 同制程与同容量（例如 24Gb 对比 24Gb）尺寸大 35～45%；良率（包含 TSV 封装良率），则比起 DDR5 低约 20～30%；生产周期（包含 TSV）较 DDR5 多 1.5~2 个月不等。
由于 HBM 生产周期较 DDR5 更长，至投片到产出与封装完成需要两个季度以上。因此，急欲取得充足供货的买家需要更早锁定订单量，据了解大部分针对 2024 年度的订单都已经递交给供应商，除非有验证无法通过的情况，否则目前来看这些订单量均无法取消（non-cancellable）。
由于 HBM 售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据观察以 HBM 产能来看，三星、SK 海力士（SK hynix）至今年底的 HBM 产能规划最积极，三星 HBM 总产能至年底将达约 130K（含 TSV）；SK 海力士约 120K，但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。另以现阶段主流产品 HBM3 产品市占率来看，目前 SK 海力士于 HBM3 市场比重逾 9 成，而三星将随着后续数个季度 AMD MI300 逐季放量持续紧追。