存储器芯片涨价+增产，三星第一季获利将暴涨669%？

受过去两年半导体市场需求下滑的影响，三星储存芯片部门连续多个季度一直处于亏损当中。财报显示，整个2023财年，三星的半导体业务亏损额高达14.88兆韩元（约800.5亿元）。不过，在2023年第一季后，三星启动了减产计划，推动了半导体业务的亏损持续收窄，其中DRAM业务已率先于2023年四季度扭亏为盈。现在，随着市场需求的持续回暖，以及NAND Flash价格的回升和增产，将带动三星半导体乃至整个三星电子业绩的改善。
先前，慧荣科技总经理苟嘉章指出，目前整个储存市场在资料中心的部分，DRAM方面受益于需求的成长，尤其是HBM、DDR5在人工智慧与高效能运算上的应用，已经开始获利。而过去跌幅较深的NAND Flash市场，也因为自2023年下半年价格的陆续开始回温，预计2024年第一季将让部分供应商获利。目前，NAND Flash第二季的价格都已经谈完，预计会涨价20%，第二季后则会让大多数的供应商开始赚钱。而NAND Flash增产的时间点最快也要等到今年下半年以后。预计2025年上半年也将会维持着这一波的涨价行情，整体持续向上的状态预计将可维持两年的时间。
韩国《朝鲜日报》近日也报告称，三星将针对手机、PC和服务器等客户重新议价，预计将对NAND Flash涨价15%~20%。报道称，因为在NAND Flash持续涨价的情况下，客户下单订购的意愿强劲。最新数据显示USB通用型NAND Flash记忆卡（128Gb 16Gx8 ML）固定交易价格在2024年1月为4.72美元，较2023年12月涨价8.8%，而且到了2月份又再涨了3.8%，达到了4.9美元，这使得NAND Flash价格呈现了连续五个月上涨。
在对NAND Flash涨价的同时，三星也为NAND Flash进行了增产。据韩国媒体TheElec引述未具名消息人士报导称，三星电子正在提升其位于中国西安NAND Flash闪存厂的产能利用率，目前已恢复到了70%左右。自2023年第二季减产后，三星西安NAND Flash厂的产能利用率在2023下半年一度滑落至20%~30%的低谷，但是随着2023年四季市场需求的回暖，三星西安NAND Flash厂的产能利用率也开始逐步回升。
市场研究机构Omdia对2024年三星DRAM 晶圆产量水准也持乐观态度。随着市场过渡到升级周期，消费者希望更换现有的储存和存储器产品，预计产量将年增。据称，该公司的目标是到2024 年第四季晶圆产量达到200 万片，比去年的数字成长41%。三星现在的目标是透过提高生产水准来挽回损失的利润，因为该公司预计未来需求将会增加。
除此之外，随着人工智慧产业需求的增加，三星正在寻求“重塑”其市场策略，将其重点更多地转向HBM 生产。随着三星赢得NVIDIA 和AMD 等巨头的信任，预计三星将升级现有设施，以满足人工智慧产品的HBM 需求。据悉，三星已经收到了HBM3e 的订单，客户希望将其应用于下一代AI GPU。
KB证券也表示，“三星电子的储存半导体业绩有望改善”，并认为三星电子今年第一季的营业利润将达到4.9万亿韩元左右，超过证券公司共识（4.6812万亿韩元，三个月平均预期）。与去年的6,402 亿韩元相比，暴涨了669%。对于2024年全年的营业利润预期也从32.536兆韩元上调至33.06兆韩元，并将明年的营业利润从48.805兆韩元上调至48.921韩元。