海力士超高性能AI存储器HBM3E全球首次量产 3月底起供货

一秒可载230部FHD电影！SK海力士超高性能AI存储器HBM3E 全球首次量产 3 月底起供货
南韩晶片大厂 SK 海力士 (SK Hynix) 今(19) 日宣布，在去年 8 月宣布开发超高性能 DRAM 新产品 HBM3E 后，仅花费 7 个月的时间便已成功量产，并将自 3 月底开始出货。
HBM（高频宽存储器）：垂直连接多个 DRAM，与 DRAM 相比显著提升资料处理速度的高附加价值、高效能产品。 HBM DRAM 产品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。 HBM3E 是 HBM3 的扩充（Extended）版本。
该公司表示， HBM3E 成功量产，有利巩固其用于 AI 的存储器市场上 的竞争优势。
为了创造快速处理大量数据的 AI 系统，半导体封装必须以多重联结（Multi-connection）多个 AI 处理器和存储器的方式来建构。近期全球科技公司大力投资 AI，对 AI 晶片性能的要求也越来越高，SK 海力士坚信，HBM3E 是当前对应这些要求的最佳产品，因其不仅满足了用于 AI 的存储器必备的速度规格，也在发热控制等所有方面都达到了全球最高水准。
速度方面，HBM3E 最高每秒可处理 1.18TB 的数据，其相当于在 1 秒内可处理 230 部全高清（Full-HD，FHD）级电影。
由于用于 AI 的存储器运作极快，因此散热能力成一大关键。HBM3E 在散热控制方面，适用 Advanced MR-MUF 最新技术，散热性能较前一代提升 10%。
SK 海力士 HBM 业务副总裁柳成洙表示，海力士 HBM3E 全球首次投入量产，进一步强化用于 AI 的存储器业界的产品线，“以累积至今的 HBM 业务成功经验为基础，海力士与客户的关系将更加扎实，且巩固公司身为全方位 AI 储存器供应商的地位。”