三星全新microSD卡以高效能、大容量 开启行动运算与智慧终端AI新纪元
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-03-22
三星全新microSD卡以高效能、大容量 开启行动运算与智慧终端AI新纪元
三星推出业界首款256GB大容量SD Express microSD卡样品,运作速度超越现行介面四倍以上三星1TB UHS-1 microSD卡采用最新V-NAND技术,现已进入量产阶段此为全球发布中译新闻稿,实际产品上市资讯依各市场公告版本为准
全球先进存储器技术领导品牌三星电子宣布已启动测试256GB(注一) SD Express(注二) microSD卡,其连续读取速度高达每秒800 MB,而1TB(注三) UHS-1 microSD卡亦进入量产。随着新一代microSD卡阵容亮相,三星展现为未来行动运算与智慧终端AI应用所需存储器提供最佳解决方案的企图心。
三星电子存储器品牌产品业务团队副总裁Hangu Sohn表示:“三星以两款全新microSD卡,为行动运算和智慧终端AI与日俱增的存储器需求,打造有效率的解决方案。尽管尺寸极小,新款记忆卡强大效能与超大容量近似SSD固态硬碟,帮助用户最大化现今与未来行动装置的运作效能。”
业界首款SD Express microSD卡,最高读取速度可达800 MB/s
三星在SD Express介面上导入全新高效能的microSD卡,该项业界创举源自三星与客户合作开发客制产品的成功经验。
三星SD Express microSD卡采用低功耗设计并优化韧体技术,具备绝佳的性能与温度管理,尺寸虽小,却拥有与固态硬碟相当的效能表现。采用UHS-1介面的传统microSD卡读取速度最高仅104 MB/s,SD Express则可将速度提升到985 MB/s;然而,将此项技术导入microSD的商业化运用直到现今才出现。 三星 SD Express microSD卡的连续读取速度高达800 MB/s-是SATA SSD固态硬碟(最高560 MB/s)的1.4倍,同时也较传统 UHS-1记忆卡(最高200 MB/s)快四倍以上,能提升各种设备-如个人电脑和行动装置的运算效能。为确保小尺寸规格的效能稳定性,其采用三星的动态散热保护(DTG)技术,即使长时间运作,亦能将SD Express microSD卡维持在最佳温度。
1TB UHS-1 microSD卡采用最新型1Tb V-NAND
三星新款1TB microSD卡,将八层三星第八代1Tb V-NAND堆叠在小尺寸microSD卡内,如此规模的大容量存储器封装,过去技术只能实现于固态硬碟中。三星新款1TB microSD卡通过业界最严谨的测试,具有防水、耐极端温度、防摔设计、防磨损保护、防 X光和防磁功能(注四),即便在严苛环境也能稳定使用。
产品上市资讯
256GB SD Express microSD卡将于本年度上市,1TB UHS-1 microSD卡预计在今年第三季推出。
注一:1吉位元组(GB)= 1,000,000,000位元组(10亿位元组)。实际可用容量可能会有所不同。
注二:SD Express:新款采用PCIe Gen3x1介面(根据2019年2月公布的SD 7.1规范)的SD卡,传输速度理论值为985 MB/s。
注三:1兆位元组(TB)= 1,000,000,000,000 bytes(1万亿位元组)。实际可用容量可能会有所不同。
注四:对于任何因记忆卡救援而产生的数据损坏和资料遗失及其相关费用,三星不承担法律责任。所声称的六种防护功能只适用于1TB UHS-1 microSD卡,不适用于256GB SD Express microSD卡。1公尺深度,盐水,72小时。作业温度-25℃至85℃(-13°F至185°F),非作业温度-40℃至85℃(-40°F至185°F)。能承受标准机场X光机(最高100mGy)。磁场等同于高磁场磁振造影仪(最高15,000高斯)。可承受最高5公尺(16.4英尺)的掉落冲击。最多10,000次摩擦。
注二:SD Express:新款采用PCIe Gen3x1介面(根据2019年2月公布的SD 7.1规范)的SD卡,传输速度理论值为985 MB/s。
注三:1兆位元组(TB)= 1,000,000,000,000 bytes(1万亿位元组)。实际可用容量可能会有所不同。
注四:对于任何因记忆卡救援而产生的数据损坏和资料遗失及其相关费用,三星不承担法律责任。所声称的六种防护功能只适用于1TB UHS-1 microSD卡,不适用于256GB SD Express microSD卡。1公尺深度,盐水,72小时。作业温度-25℃至85℃(-13°F至185°F),非作业温度-40℃至85℃(-40°F至185°F)。能承受标准机场X光机(最高100mGy)。磁场等同于高磁场磁振造影仪(最高15,000高斯)。可承受最高5公尺(16.4英尺)的掉落冲击。最多10,000次摩擦。