南亚科董座吴嘉昭：10纳米1B制程是今年拓展重点

中国台湾DRAM大厂南亚科今日举行股东常会，董事长吴嘉昭在报告营运时表示，南亚科去年受大环境不佳、地缘政治和中美贸易摩擦影响，由盈转亏，但公司仍持续厚实技术实力，今年将会有更多产品导入10纳米1B制程，同时10纳米1C制程将在今年底完成第一颗产品设计、明年初试产，并于115年视产销导入新厂，并藉结合微缩版与矽钻孔（TSV）制程，切入高容量DRAM模组，以供应服务器市场需求。
吴嘉昭强调，1B制程产品是南亚科今年拓展重点，除8Gb/4Gb DDR4推广至个人电脑及良祼晶应用市场外，16Gb DDR5 则优先在个人电脑 和服务器应用等主流市场建立实绩。
他强调，南亚科在产业调整期仍持续投入研发，厚实未来竞争力。目前南亚科10纳米除了10纳米第二代（1B）制程开发 3颗产正在试产，另外也开发4颗产品，包括16 Gb DDR5 和微缩版、16Gb LP DDR4 、16 Gb LPDDR5和4Gb DDR3 也将逐步导入试产。
他接着说，今年将同步开发矽钻孔制程技术，未来结合DDR5微缩版与TSV制程做成高容量DRAM模组，以供应服务器市场。
此外，10纳米第三代（1C）制程技术，第一颗16Gb DDR5产品已预定年底完成设计，明年初试产。
为因应产能转进1B及新厂兴建，南亚科今年资本支出约260亿元 ，其中生产类设备预算将低于五成。