南亚科：减产效应及AI需求 DRAM市场可望稳健复苏

中国台湾南亚科董事长吴嘉昭今天表示，随着DRAM主要供应商减产效应逐步浮现，加上生成式AI带来高频宽记忆体（HBM）及DDR5强劲需求，相对降低DDR4及DDR3产出及库存水位，预期今年DRAM市场可望稳健复苏。
台塑集团动态随机存取记忆体（DRAM）厂南亚科今天召开股东常会，吴嘉昭说，受地缘政治等因素影响，DRAM产业连续两年景气下滑，南亚科去年营收新台币298.9亿元，年减47.5%，税后净损74.4亿元，每股亏损2.4元。
吴嘉昭表示，去年下半年开始DRAM主要厂商减产，效应逐渐浮现，加上生成式人工智慧（AI）带来HBM及DDR5强劲需求，相对降低DDR4及DDR3产出及库存水位。
吴嘉昭说，DRAM是所有电子产品数位化的重要零件，用途广泛。在服务器方面，云端业者正扩大投资AI服务器，其他企业用户也增加通用型服务器采购，整体服务器出货可望显著成长
手机方面，去年下半年新机上市，增强市场复苏，由于手机导入AI功能使得DRAM搭载量持续增加。电脑方面，库存已降至正常水准，随着软硬体升级需求，及AI PC推出，将带动换机潮，预期DRAM搭载量也将同步增长。
吴嘉昭表示，电视及机上盒等产品，因为奥运等运动赛事将加速成长。另外，具备更高传输速率的WiFi7问世，会增强网通产品销售，消费性电子产品也会回到正常成长轨道。
吴嘉昭说，今年DRAM各终端应用市场需求会成长，主要DRAM供应商会着重在HBM和DDR5产品，将有助于DDR4供需改善，平均销售单价也会上扬，DRAM市场可望稳健复苏。
至于技术发展，吴嘉昭表示，南亚科第2代10纳米（1B）制程前导产品去年投片试产，预计今年会开始生产3颗产品，有助于扩大产品线，贡献营收。
第3代10纳米（1C）制程功能测试晶片正在试产，先导产品设计同步进行，第1颗产品预计明年初进入试产。此外，南亚科还开发TSV矽穿孔制程技术，预计推出高容量DRAM模组，供应服务器市场。
吴嘉昭指出，今年会有更多产能转进1B制程技术，加上新厂营建工程支出，预计今年资本支出约260亿元