三星、SK 海力士将在 3D DRAM 采混合键合，美光研究中
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-06-22
韩国存储器芯片制造商三星和 SK 海力士预计在即将推出的 3D DRAM 中采用混合键合（Hybrid Bonding）技术。
SK 海力士指出，将在 3D DRAM 生产中采用晶圆键合技术。晶圆键合也被称为混合键合，即芯片垂直堆叠，通过矽穿孔（TSV）或微型铜线连接，I/O直接连接，没有用到凸块连接。根据芯片堆叠方式，还有分为晶圆到晶圆（wafer-to-wafer）、晶圆到裸晶（wafer-to-die）和裸晶到裸晶（die-to-die）。
3D DRAM 是 DRAM 的未来概念，即 DRAM 单元垂直堆叠，如现今 NAND 单元垂直堆叠一样。三星和 SK 海力士计划在不同晶圆上制造“单元”（Cell）和周边元件（peripherals），再透过混合键合连接。
现在的 DRAM 在同一晶圆单元层两侧周边元件，会使表面积扩大太多，因此在不同晶圆上分离周边元件，有助于提高单元密度。
目前三星也在研究 4F Square DRAM，并有望在生产中应用混合键合技术。4F Square 是一种单元阵列结构，与目前商业化的 6F Square DRAM 相比，可将芯片表面积减少 30%。
至于另一间存储器大厂美光先前在 COMPUTEX 记者会上表示，公司也正着手开发 HBM4，会考虑采用包括混合键合在内等相关技术，目前一切都在研究中。
SK 海力士指出，将在 3D DRAM 生产中采用晶圆键合技术。晶圆键合也被称为混合键合，即芯片垂直堆叠，通过矽穿孔（TSV）或微型铜线连接，I/O直接连接，没有用到凸块连接。根据芯片堆叠方式，还有分为晶圆到晶圆（wafer-to-wafer）、晶圆到裸晶（wafer-to-die）和裸晶到裸晶（die-to-die）。
3D DRAM 是 DRAM 的未来概念，即 DRAM 单元垂直堆叠，如现今 NAND 单元垂直堆叠一样。三星和 SK 海力士计划在不同晶圆上制造“单元”（Cell）和周边元件（peripherals），再透过混合键合连接。
现在的 DRAM 在同一晶圆单元层两侧周边元件，会使表面积扩大太多，因此在不同晶圆上分离周边元件，有助于提高单元密度。
目前三星也在研究 4F Square DRAM，并有望在生产中应用混合键合技术。4F Square 是一种单元阵列结构，与目前商业化的 6F Square DRAM 相比，可将芯片表面积减少 30%。
至于另一间存储器大厂美光先前在 COMPUTEX 记者会上表示，公司也正着手开发 HBM4，会考虑采用包括混合键合在内等相关技术，目前一切都在研究中。
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