三星3纳米良率过低瓶颈 造成竞争和市场定位杀伤力

三星希望从台积电手上抢订单，但却在3纳米制程技术陷入良率过低的瓶颈。

三星希望从中国台湾台积电手上抢订单，但却在3纳米制程技术陷入良率过低的瓶颈。报告显示，三星可行产品的良率略低于20%，甚至传出今年首季良率仅降至个位数，通常良率需高于60%才可顺利大量生产，大幅提高良率成为三星艰难的任务。
三星采用3纳米制程的Exynos 2500行动处理器产量遇到重大挑战，3纳米良率略低于20%，主要是因为缺陷率较高，表明制造流程正持续改进，然而改善速度缓慢，无缺陷芯片的数量仍然不足以进行大规模生产。目前还不确定Exynos 2500处理器是否会用于未来的Galaxy S25智能型手机。据推测，所有即将推出的高阶设备都可能专门配备Snapdragon 8 Gen 4。
为了提高批量生产效率，不良率必须低于40%，报告显示，三星系统LSI部门的重点是在今年下半年增强可行的Exynos 2500芯片的制造流程。三星目标是到10月实现良率达60%。
三星提高良率的策略性努力包括对其制造流程进行精细调整，并可能投资新技术或设备以降低缺陷率。预计10月达到60%良率目标，需要制定严格的制造路线图和大量的资源分配。
这凸显三星在先进半导体制造领域所面临的竞争和技术困难，较低的良率不仅阻碍三星的生产能力，而且还影响相对于台积电等竞争对手的市场定位，已经造成强大的杀伤力。
台积电已成功从全球主要科技公司获得大量订单。5月底时，台积电宣布将3纳米芯片产能扩大两倍。然而，即使产能增加，仍难以满足市场所有需求，也对履行订单构成重大挑战。台积电在3纳米技术上取得积极进步，加剧三星所面临的压力。台积电大幅提高产能，并获得知名客户的能力凸显半导体产业的激烈竞争压力。
此外，业内人士指出，台积电3纳米制程订单已预约至2026年，预计价格上涨5%以上；CoWoS（基板上晶圆芯片）先进封装制程可能出现10%~20%的价格上涨。