传三星存储器DRAM、商用NAND拟涨价15~20%

市场谣传，三星电子(Samsung Electronics Co.)准备于第三季将存储器DRAM、商用NAND型快闪存储器报价调涨15~20%。
Pulse by Maeil Business News Korea 27日引述未具名消息人士报导，三星涨价是为了因应AI带动的存储器芯片需求潮，这有望提升该公司下半年的业绩表现。
报导引述业界26日消息指出，三星最近已将涨价决定通知戴尔(Dell Technologies Inc.)、慧与科技(Hewlett Packard Enterprise Co.)等重要客户。
三星负责半导体业务的“装置解决方案”(Device Solutions，DS)部门，26日在京畿道华城厂举行全球战略会议。这场会议是由DS部门新任负责人兼副董事长全永铉(Young Hyun Jun)首次主持，其他与会者包括存储器部门负责人Lee Jung-bae、晶圆代工事业负责人Choi Si-young，以及大型积体电路系统(system large-scale integration)部负责人Park Yong-in。
三星已于Q2将商用NAND型快闪存储器报价调涨超过20%。AI热潮导致存储器需求跳增，让大规模的涨价行动延续至今(2024)年下半年。
存储器DRAM的代表性产品——DDR4 (64GB)，Q3报价原预料只会从前季的140美元略升至144美元，如今有可能会超过160美元。一名业界内部人透露，“客户原只提供一季的需求方案给芯片业者，如今却把计划拉长至一年，显示巩固供应已成为重点。”“由于目前是供应商主导的市场，最终谈定的报价，有可能会增加超过15%。”
三星、SK海力士急调2成DRAM产能助阵HBM
受到AI需求热潮，三星日前透露，手上的高频宽存储器(HBM)已全部卖光。三星、SK海力士(SK Hynix Inc.)并异口同声预测，今(2024)年DRAM及HBM报价都可望走坚。
《韩国经济日报》5月13日报导，为了满足需求，三星、SK海力士都已将超过20%的DRAM生产线改为生产HBM。这两家业者在Samsung Securities于5月9~10日主办的投资人关系会议上透露，基于上述原因，DRAM产出趋缓的步调将跟需求达成一致。