HBM高宽频存储器抢走标准DRAM产能

储存芯片产业界近日传来消息，传统型DRAM存储器芯片可能面临供应短缺的局面。
随着业界对高频宽储存（HBM）这类DRAM的大力投资，传统型DRAM的产能利用率相对较低，三星和SK海力士的产能利用率仅在80%到90%之间，与NAND快闪存储器的全速生产形成鲜明对比。
与HBM DRAM相比，传统型DRAM指的是用于手机、PC的存储器芯片，这一供应短缺的讯号可能预示着DRAM存储器芯片的价格上涨。
自2024年初以来，通用型DRAM的产能仅提升了大约10%，而智慧型手机、PC和服务器市场的增长率预计仅为2%到3%。
全球云端运算和科技公司在 AI基础设施上的投资削减，也未能显著推动DRAM需求的复苏。
与此同时，企业级固态硬盘（eSSD）的需求因 人工智慧的普及而激增，导致三星、SK海力士等主要制造商在第二季度满负荷运行其NAND生产线。
铠侠也在市场条件改善后结束了减产，NAND产能利用率恢复至100%。
尽管业界对传统型DRAM需求反弹持谨慎乐观态度，但这一可能性很大程度上取决于终端装置 AI能力的普及程度。
PC制造商和智慧型手机厂商，如三星和苹果，正在积极探索 AI技术在各自产品中的应用，以期带动市场需求。