三星电子准备向英伟达供应HBM3E

越来越多的人猜测三星电子即将向英伟达提供HBM3E（第5代高带宽内存），这引发了人们对“内存超级周期”的预期。由于半导体制造能力有限，三星HBM产量的增加可能导致通用DRAM出货量相对下降，从而推高价格。分析师认为，由于三星是内存制造商中产能最大的，它更专注于HBM的生产，整个内存行业的盈利能力可能会有显著的改善。
31日，业内消息人士表示，半导体公司正在密切关注三星的财报公告，预计同日公布财报。这是因为三星可能会宣布完成 NVIDIA 的 HBM3E 质量认证并开始供应。
此前，中国媒体报道称，三星已经完成了NVIDIA对HBM3E的质量认证。他们还指出，三星正准备大规模生产HBM3E。尽管三星表示，“我们无法确认任何关于HBM3E量产的信息”，但业内人士预测，HBM3E的认证和供应将在年内实现。
英伟达最近增加了其专注于人工智能的GPU“Blackwell”的订单，进一步支持了三星即将供应HBM的传言。据报道，英伟达计划在今年下半年推出Blackwell，其订单量比最初计划增加了25%。
鉴于SK海力士和美光（目前向NVIDIA提供HBM的供应商）正在努力满足不断增长的需求，分析师认为三星的HBM供应迫在眉睫。在三大内存制造商中，三星的产能最大。
研究公司表示，“三星的一些供应链合作伙伴已接到指示，尽快订购并预留HBM3E产品的产能。这表明三星的HBM可以从今年下半年开始顺利出货。
三星向英伟达供应的HBM3E预计将为整个内存行业的盈利增长创造动力。尽管SK海力士表示，其HBM产能已售罄至2025年，但行业观察人士指出，HBM的供应仍然供不应求，导致价格持续上涨。预测在2025年之前，由于供不应求，HBM市场将继续涨价。
对HBM的需求增加也有望推高通用DRAM的价格。由于半导体生产线受到限制，三星加入英伟达的HBM供应链可能会减少通用DRAM的产量，从而提高其价格。预计今年DRAM的平均价格将上涨53%，明年将再上涨25%。
HBM 供应的扩大有望显著提高内存公司的盈利能力。KB Securities研究员Kim Dong-won评论道：“占DRAM总收入一半以上的通用DRAM价格持续上涨，预计将显著改善下半年的收益。此外，对大容量企业级固态硬盘的需求增加，将在今年下半年扩大NAND利润。