​三星P4厂1c纳米DRAM产线2025年投产！

面对市场需求增加，存储器产业持续复苏，韩国媒体报导，三星确认平泽P4工厂建设1c纳米制程DRAM存储器产线投资计划，目标是2025年6月量产。
 三星平泽P4是综合性半导体生产中心，分为四期计划。三星早期规划，一期生产NAND闪存，二期为逻辑代工，三期及四期为DRAM存储器。三星已在P4一期导入DRAM设备，却宣布搁置二期建设。
1c纳米制程DRAM是第六代10纳米级DRAM制程，各大存储器厂商的1纳米产品均未发表。三星计划年底启动1纳米生产。三星考虑2025下半年推出HBM4采用1纳米DRAM芯片，或以更先进DRAM制程提升HBM4竞争力，追上对手SK海力士。
考虑到 HBM 对 DRAM 芯片的消耗量远高于传统存储器，三星平泽 P4 建设 1c 纳米 DRAM 产线，市场推测可能也是为了 HBM4 预做准备。
HBM 技术因其高带宽和低功耗的特性，在高端服务器和高性能计算领域得到广泛应用。相较于传统存储器，HBM 可以提供更高的数据吞吐量，这对于数据中心和人工智能应用尤为关键。
 三星此举不仅体现了其在全球半导体市场的领先地位，也反映了对高性能存储解决方案不断增长的需求。随着技术的不断进步，预计未来几年内，我们将看到更多基于 HBM 的产品进入市场。
总体而言，三星投资于先进的 DRAM 生产线，不仅将加强其产品竞争力，也将推动整个存储行业的发展。随着 HBM 技术的成熟和应用范围的扩大，我们有理由期待更加高效、节能的存储解决方案的出现。