三星加速布局高数值孔径EUV技术，力争芯片竞争领先地位

据美国科技媒体《Tom's Hardware》援引韩国《首尔经济日报》报道，三星电子计划在今年第四季度至2025年第一季度期间安装其首台高数值孔径（high-NA）极紫外光刻（EUV）设备，主要用于晶圆代工业务。此外，三星还将与日本JSR、东京威力科创、雷泰光电（Lasertec）及美国新思科技（Synopsys）合作，共同开发高数值孔径生态系统。

据悉，三星的首台ASML Twinscan EXE:5000高数值孔径曝光系统将安装在华城园区，该园区负责开发下一代逻辑与DRAM制程技术。预计该设备将于2025年中投入使用，较英特尔晚约一年，但仍早于台积电和SK海力士。

三星计划围绕高数值孔径EUV技术开发完善的生态系统。除了购买相关设备外，还与日本雷泰光电合作开发高数值孔径光罩检测设备，并已采购其Axtis A300工具。此外，三星还与JSR、东京威力科创等厂商合作，力争在2027年前实现高数值孔径EUV设备的商业应用。

然而，进入high-NA领域将面临诸多挑战，如高昂的设备成本（约3.8亿至4亿美元）以及庞大的设备体积，这将迫使晶圆制造商重新规划工厂布局。