中国积极采购HBM，下半年DRAM价格或将持续上涨

2024年4月，中国台湾地区发生地震，促使中国大陆的云服务提供商（CSP）加大了对高频宽存储器（HBM）的采购力度，从而带动了该产品的市场需求。这一事件在半导体市场引发了连锁反应，对DRAM价格及主要制造商的财务状况产生了显著影响。
据韩国媒体BusinessKorea报道，受台湾地震后积极采购的影响，2024年第二季度HBM需求上升，推动DRAM合约价格上涨了13%至18%。其中，韩国三星在第二季度财报会议上宣布，8层堆叠的HBM3E产品将于第三季度量产，12层堆叠的量产准备工作已完成。公司预计，HBM3和HBM3E的营收占比将在第三季度迅速扩大至约10%，第四季度达到60%。
报道指出，第二季度的财务表现反映了这些市场动态。三星的平均售价（ASP）上涨了17%至19%，DRAM销售额增长了22%，达到92.2亿美元。SK海力士在HBM3E取得认证后，产品出货量提升，DRAM销售额增长了38.7%，达到79.1亿美元。这两家公司的盈利能力均显著提高，三星电子的DRAM营业利润率从第一季度的22%上升至第二季度的37%，SK海力士则从33%上升至45%，美光的利润率也从6.9%上升至13.1%。
实际上，截至7月底，包括三星电子、SK海力士在内的主要DRAM制造商已结束与PC制造商和CSP的第三季度合约价格谈判。合约价格涨幅确定为8%至13%，比先前预测高出约5个百分点。机构的最新数据显示，由于担忧美国对AI半导体和存储器实施新的出口限制措施，中国大陆CSP自第二季度以来已将DRAM采购量大幅提升，较2023年同期增长了一倍多，以确保库存充足。
机构分析认为，供应状况有限也是DRAM价格上涨的原因之一。主要供应商正优先生产HBM相关产品，限制了一般DRAM的供应。三星已开始生产HBM3E晶圆，以确保在通过英伟达HBM3E认证后立即供货。此外，这一行动可能会影响2024年下半年的DDR5生产计划。甚至，SK海力士和三星电子优先生产HBM而非DDR5，这使得未来几个季度的DRAM价格都不太可能下降。
报道进一步强调，存储器半导体的需求预计将在第三季度继续推动DRAM价格上涨。三星此前宣布，8层堆叠的HBM3E产品将于第三季度量产，进一步凸显了生产向高频宽存储器解决方案倾斜的趋势。公司对HBM3和HBM3E的战略重点也将对其营收占比产生重大影响。根据三星的预期，HBM相关产品的营收占比将在第三季度迅速扩大至约10%，第四季度增至60%。