三星预计年底流片第六代HBM，SK海力士紧随其后

据韩国媒体TheElec报道，三星正筹备在今年年底进行第六代高带宽内存（HBM）的流片工作。
流片作为芯片设计的最后环节，意味着公司将设计蓝图交付给芯片代工厂进行制造。据悉，HBM4的样品将于年底完成流片，并计划于明年初推出，2025年底开始大规模商业生产。
通常情况下，芯片原型会在流片后的三到四个月内制作完成。预计三星将在审查样品后对设计进行调整并优化工艺步骤。
与此同时，SK海力士也计划在明年晚些时候开始生产其HBM4。
值得注意的是，三星和SK海力士均计划利用代工厂生产芯片上的逻辑芯片，而非沿用上一代HBM芯片的DRAM工艺。三星将采用自家的4nm代工工艺制造逻辑芯片，而SK海力士则选择台积电的5nm和12nm工艺。
在HBM的内存核心芯片方面，三星计划使用Gen 6 10nm（1c）DRAM，而SK海力士则在权衡是否采用与三星相同的1c DRAM，或是选用Gen 5 10nm（1b）DRAM。有消息人士透露，SK海力士原本计划使用1b DRAM，但考虑到三星的选择，目前正在考虑跟进。
这两家公司的HBM4产品预计将应用于英伟达和AMD未来的AI加速器中。