第三季度DRAM合约价上调,未来价格难以回落
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-08-22
受地缘政治因素影响,机构上调了传统DRAM第三季度合约价格涨幅至8%至13%。此外,由于HBM3e对DDR5的挤压,未来几季DRAM价格也难以回落。
机构表示,大多数DRAM厂商在2024年7月下旬与PC OEMs及CSPs(芯片封装测试服务商)商定了第三季度的合约价格,结果显示涨幅超出预期。基于此,机构将传统DRAM第三季度合约价格涨幅上调至8%至13%,较原预测值提高了约5个百分点。
机构指出,自第二季度起,由于担忧美国政府对其AI芯片及存储器采购实施新一轮制裁,中系CSPs积极备货,采购规模同比翻倍。这一需求激励DRAM厂商提高价格。同时,美系CSPs也受到压力,必须上调采购价格。服务器DRAM价格的上涨,也进一步推动了PC DRAM合约价格的谈判气氛。
此外,为了赶在HBM3e产品通过验证后及时出货,三星已在工厂启动了HBM3e芯片的生产,这将挤占2024年下半年1纳米制程的DDR5排产。各大厂商近期完成了2025年度的产能规划,其中HBM生产比重较高的SK海力士和三星将出现HBM3e对DDR5的挤压情况。预计未来几季DRAM价格将持续保持在高位。
机构表示,大多数DRAM厂商在2024年7月下旬与PC OEMs及CSPs(芯片封装测试服务商)商定了第三季度的合约价格,结果显示涨幅超出预期。基于此,机构将传统DRAM第三季度合约价格涨幅上调至8%至13%,较原预测值提高了约5个百分点。
机构指出,自第二季度起,由于担忧美国政府对其AI芯片及存储器采购实施新一轮制裁,中系CSPs积极备货,采购规模同比翻倍。这一需求激励DRAM厂商提高价格。同时,美系CSPs也受到压力,必须上调采购价格。服务器DRAM价格的上涨,也进一步推动了PC DRAM合约价格的谈判气氛。
此外,为了赶在HBM3e产品通过验证后及时出货,三星已在工厂启动了HBM3e芯片的生产,这将挤占2024年下半年1纳米制程的DDR5排产。各大厂商近期完成了2025年度的产能规划,其中HBM生产比重较高的SK海力士和三星将出现HBM3e对DDR5的挤压情况。预计未来几季DRAM价格将持续保持在高位。