日本EUV技术突破对ASML的威胁有限

近日，外媒报道指出，冲绳科学技术大学院大学教授新竹积开发了一项新技术，能够让极紫外光（EUV）微影设备与更小的EUV光源配合使用，从而降低成本并显著提升设备的可靠性和使用寿命。

这一技术的功耗不到传统EUV曝光机的十分之一，有助于半导体产业的环保。媒体报道称，该技术解决了EUV领域被认为难以克服的两个主要问题。

首先，这项技术采用了由两个反射镜构成的光学投射系统。通过使用两片反射镜构建EUV光源投射装置，结构更加简洁。这种结构优化不仅降低了成本，还提高了能量保存效率。传统设计中，EUV光能每次反射会衰减40%，经过10片反射镜后，最终能量仅剩1%。新设计则能更好地保存能量。

其次，新技术在功耗方面也有所突破。EUV光源的电力需求降至20W，系统总功耗低于100kW，为传统技术（通常需100kW以上）功耗的十分之一，同时保持了极高的对比度。光学模拟软件OpTaliX已验证了该技术的效能，表明其足以用于半导体生产。

该技术已由冲绳科学技术大学院大学申请专利，并计划通过实验与产业界合作实现商业化。报道指出，由于结构简化，EUV曝光机的引进成本将减少近半，原本约为200亿日元（约1.3亿美元）。

然而，目前来看，这项技术对ASML的威胁尚存距离。

首先，镜头只是EUV系统的一部分，整个系统还包括许多复杂的子系统。任何竞争对手必须开发所有其他子系统，才能制造出商业上可行的EUV系统。

其次，开发相关技术的成本投入巨大，商业化难度较高。佳能和尼康可能不具备足够的资源成为竞争者，因为要在获得商业收入之前，至少需要10年的研发投入。加上涉及的高成本，佳能已经放弃了浸入式系统，尼康也在多年前放弃了EUV。

最后，大学的研发成果需要多年才能进入商业阶段。如果ASML发现该技术的潜在价值，可能会考虑开发类似技术。