SK海力士计划推出性能提升30%的下一代HBM

高频宽存储器（HBM）市场正在经历与人工智能（AI）产业类似的爆炸性增长。由于高阶AI加速器广泛使用HBM存储器，所有生产此类存储器的公司都在投入数十亿美元用于未来产品的研发。SK海力士近期宣布，正在开发新一代HBM，其性能将比现有标准提升高达30%。

在AI芯片领域，英伟达的Blackwell架构和超微的第二代MI325X系列加速器计划将在未来产品中采用HBM3e。SK海力士在2024年5月的行业活动中透露，公司可能在2025年率先推出下一代HBM4。

虽然SK海力士此次宣称其新HBM的性能比现有标准提升约20至30倍，但未具体说明其他HBM型号的细节。专家推测，这可能是HBM4的变体或未来产品。

根据机构的报告，SK海力士在HBM市场中占据领先地位，其中HBM3的市场份额超过85%，整体HBM市场的占有率超过70%。目前，除了美光加快推出HBM3e产品外，三星计划在今年为HBM提供3D封装服务，并于2025年推出自己的HBM4产品。

目前，全球DRAM制造商中，只有SK海力士、三星和美光三家公司具备制造HBM的能力。这是因为HBM需要先进的封装技术和中介层，能够满足这一要求的公司并不多。台积电在HBM和中介层的CoWoS封装中占据主导地位，这也是SK海力士寻求与台积电合作的关键原因。

SK海力士的目标是通过整合先进功能主导HBM领域，这意味着公司正走在HBM4产品创新的前沿。通过与台积电的合作，HBM4将能够在单一封装中结合逻辑和存储器半导体技术。SK海力士表示，采用更先进的方法对于HBM的未来发展至关重要，HBM4将为未来设定标准，成为未来HBM发展的方向。

业界普遍认为，HBM4将是SK海力士与三星争夺存储器市场主导地位的关键。两家公司都计划在2025年中或年底之前发布各自的HBM4产品，以便迅速整合到下一代英伟达Rubin架构及其他平台中。

此外，英特尔也不容忽视。英特尔目前与所有主要HBM供应商合作，特别是美光。先进封装是英特尔系统芯片代工方法的关键支柱之一，其在先进封装技术方面的实力不容忽视。英特尔与台积电有所不同，英特尔希望整合来自任何代工厂的芯片，而不仅仅是其自身的。

总的来说，尽管美光和三星在HBM能力上不断提升，SK海力士表示，其受到包括苹果、微软、谷歌、亚马逊、英伟达、Meta和特斯拉在内的主要科技公司极大关注。SK海力士目前正致力于满足这些公司的定制需求，预计在未来一至两年内将继续保持市场领先地位。