涉外泄 DRAM 芯片技术,三星前工程师被捕

韩国警方于3日宣布，一名三星电子前工程师因涉嫌窃取三星半导体核心技术并泄露给成都高真科技有限公司（CHJS），涉及20纳米DRAM存储器芯片技术，已被逮捕并移交检察机关。
据韩联社报道，首尔警察厅产业技术安全侦查队指出，这位64岁的三星电子前工程师因涉嫌违反《职业安定法》被捕，并被移送至首尔中央地方检察厅。
该工程师曾以顾问身份参与成都高真公司的创立，并在韩国成立猎头公司，以高出原薪资两三倍的待遇挖角三星核心技术人才，协助CHJS复制动态随机存取存储器（DRAM）工厂。该工厂在2022年4月成功生产半导体晶圆，从完工到投产仅用时一年三个月，而通常这一过程需要四至五年。
韩国警方表示，泄露技术的经济价值高达4.3万亿韩元，若考虑相关经济效益，实际损失更为庞大。
除该前工程师外，还有两名采用相同手法挖角韩国半导体人才的猎头公司代表及机构被移送法办。据悉，猎头公司已为成都高真挖角超过30名技术人员。
尽管面临国家关键技术外流，警方只能依据《职业安定法》而非《产业技术保护法》逮捕涉案嫌疑人。警方解释，现行法规中，通过“挖角”方式泄露技术的行为不在《产业技术保护法》的惩处范围内，因此有必要修订相关法律，以严惩商业间谍。
包括前三星工程师在内，成都高真技术泄露案共有21人被移送法办。成都高真创办人、三星电子前常务兼SK海力士前副社长崔珍奭等人已被捕，涉嫌违反《产业技术保护法》及《防止不正当竞争及商业秘密保护法》。