打破容量限制！3D NOR闪存技术开辟新篇章
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2024-12-12
传统NOR闪存因其高效读写和可靠性能，长期在汽车和消费电子等领域保持稳定增长。然而，受技术限制影响，NOR闪存的容量扩展在十多年前就停滞在40多纳米制程。如今，这一局限被创新技术所打破。基于3D NAND技术的成功经验，3D NOR闪存技术应运而生，并在今年的德国慕尼黑电子展(electronica 2024)上首次亮相。
这一增长得益于汽车电子的蓬勃发展，包括先进驾驶辅助系统(ADAS)、车载网络、自动驾驶和数字仪表盘等领域。这些应用对高可靠性和低功耗存储解决方案的需求日益增加。NOR闪存以其稳定可靠的特性，正逐步成为汽车安全关键系统的重要组成部分，从而推动更大容量产品的需求。
依托成熟的3D NAND制造技术，3D NOR闪存可以在现有的生产基础上实现高容量并支持大规模量产。首款3D NOR闪存产品是一款4Gb单芯片解决方案，相较于传统2D NOR闪存通过芯片堆叠实现容量扩展的方式，单芯片设计避免了封装可靠性问题。 NOR闪存市场迎来全新机遇
全球NOR闪存市场正在快速扩张。据机构预测，2024年市场规模约为26.9亿美元，预计到2029年将增长至36亿美元，年复合增长率为6.01%。 这一增长得益于汽车电子的蓬勃发展，包括先进驾驶辅助系统(ADAS)、车载网络、自动驾驶和数字仪表盘等领域。这些应用对高可靠性和低功耗存储解决方案的需求日益增加。NOR闪存以其稳定可靠的特性，正逐步成为汽车安全关键系统的重要组成部分，从而推动更大容量产品的需求。
然而，传统2D NOR闪存在制程技术达到40多纳米后开始遭遇挑战。多数存储器制造商选择停止新技术研发。尽管如此，部分企业仍然致力于技术突破，开发能够提供更高密度、更低成本的3D NOR闪存，以适应未来市场需求。全球
首款3D NOR闪存芯片亮相
这一创新产品具备多项优势：
- 容量提升8倍；
- 擦除和编程速度大幅提升；
- 支持高速OctaFlash和传统QSPI接口，200MHz DDR传输速率；
- 拥有100K次擦写寿命，符合ISO26262车规功能安全要求。
该3D NOR采用独特的3D AND架构，与传统NOR闪存相比，其电晶体以平行方式连接，并通过FN烧录方式实现高密度、高并行性存储，写入速度更快且功耗更低。未来，基于这一技术的发展，2Gb至更高容量的NOR闪存将以更具成本效益的方式推向市场。
除NOR闪存外，嵌入式多媒体卡（eMMC）在汽车、医疗和工业等嵌入式领域的应用范围不断扩大。尽管智能手机存储已逐步转向UFS，eMMC凭借其集成控制器与闪存的特性，成为汽车电子控制器（如ECU）和自动驾驶等领域的理想存储解决方案。
嵌入式客户对eMMC的需求日益增长，但稳定长期供货的能力成为关键考量。面对这一挑战，企业通过“产品长期供应计划”承诺为客户提供5至10年以上的稳定供货。这种长期可靠的服务模式已成功赢得欧洲、美国和日本众多客户的信赖。
目前，市场上提供的eMMC产品涵盖2~8GB的19纳米2D架构以及8~32GB的96层3D NAND方案，满足从低容量到高性能的多样化需求。
在2024年德国慕尼黑电子展上，存储厂商以“创新、品质、长期供应与可持续发展”和“合作伙伴生态系统”为主题，展示了一系列存储产品。展品包括全球首款3D NOR闪存样片、2G~16GB低容量eMMC，以及针对多种嵌入式应用的最新技术解决方案。
在车载存储领域，3D NOR闪存样片因其出色的性能和可靠性表现备受关注，并计划于明年初量产。同时，与NXP、Renesas、ST、Qualcomm和英伟达等行业巨头的合作也体现了存储厂商在技术和生态领域的强大实力。
随着eMMC在嵌入式市场的快速成长，当前正是大力拓展这一市场的关键时机。通过稳定可靠的供货和高质量产品，存储厂商致力于为客户提供长久的安心感与信任。
从3D NOR闪存的技术突破到eMMC在嵌入式领域的快速扩展，存储技术的不断创新正为汽车、工业和消费电子领域带来更多可能性。未来，通过可靠的技术支持与长期供应承诺，存储厂商将在全球市场中进一步巩固其领先地位。
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