2025年高频宽存储器与传统DRAM的冰火两重天

根据研究机构预测，2025年DRAM产业将呈现出高频宽存储器（HBM）与传统DRAM截然不同的价格走势。前者预计将逐季缓涨，而后者则逐季缓跌。

全球云端服务供应商（CSP）及大型企业对生成式人工智能（AI）的投资热情高涨，促使三星、SK海力士和美光等三大DRAM制造商将研发和生产重心转向HBM，这对传统DRAM的产能和价格产生了显著影响。
预计2025年DRAM产业的产值将同比增长36.3%，位元出货量增长24.7%，平均单价增长17.0%，三者均呈现双位数增长。
从供需角度来看，2024年第四季度到2025年第一季度，DRAM市场将短暂出现供过于求的局面，但随着客户在2025年第二季度开始备货，市场将转向供不应求，主要驱动力来自HBM的需求增长。
HBM在DRAM市场的渗透率预计将逐步提升，到2025年第四季度，HBM的渗透率将达到约10%。
2025年DRAM产值预计将达到1,247.16亿美元，同比增长36.3%，主要得益于HBM渗透率的提升。其中，HBM3E颗粒预计将占2025年HBM市场的85%。
尽管2025年DRAM的平均售价预计同比增长17.0%，但这一增长主要归因于HBM产品。传统DRAM的平均售价预计将从第一季度到第四季度逐季小幅下跌，其中DDR5的价格波动相对较小。
DRAM市场的前三大制造商正在积极备战HBM市场，计划在2025年加快产线升级至1纳米制程，主要供应HBM3E；并在2026年进一步迈向1+纳米制程，以供应最新的HBM4产品。
由于HBM3E和DDR5产品共享前段1纳米制程，因此前三大制造商在HBM3E的供应进度将直接影响其对DDR5产品的供应能力，从而影响DDR5的价格走势。
至于DDR3和DDR4等成熟产品的价格走势，则与消费性产品终端销售和供应链库存去化更为直接相关。市场分析人士认为，如果消费性市场需求回暖，2025年下半年成熟型存储器的市场行情可能会有所好转，但上半年仍将面临供过于求的局面。