长鑫存储快速崛起，挑战韩国DRAM市场霸主地位

英国《金融时报》报道指出，中国存储芯片制造商长鑫存储正迅速占领全球市场，蚕食韩国竞争对手的地盘。继中国大陆人工智能新秀DeepSeek崛起之后，这进一步强化了北京在AI先进领域摆脱外国技术依赖的努力。
快速增长与市场份额
据深圳顾问公司前瞻产业研究院估算，长鑫存储在全球规模约900亿美元的DRAM市场中，市占率从2020年的几乎为零增长到去年的5%。分析师预测，其增速可能呈现“滚雪球式”扩大。长鑫存储不仅开始量产DDR5，还在进军高频宽存储器（HBM）市场，这是运行AI系统的重要组件。
长鑫存储在上海附近建设了一座面积达28万平方米的晶圆制造厂，将用于生产HBM2。尽管SK海力士计划今年开始量产HBM4，长鑫存储的产品目前落后两代，但其扩大HBM2产能预计将加剧对三星电子的压力。三星仍在努力通过英伟达的严格测试，以争取成为HBM供应商。
产量与成本优势
野村亚太证券研究主管CW Chung表示：“这不是技术优势的问题，而是产量的问题。”他指出，三星尤其受到供应过剩和芯片价格下跌的严重冲击。根据SemiAnalysis的数据，长鑫存储积极扩大DDR4的产量，从2022年每月7万片晶圆增加到去年每月20万片，足以取得全球DRAM市场15%的市占率。
TechInsights副董事长G Dan Hutcheson认为，尽管长鑫存储的全球市占率相对较小且主要集中在中国大陆，但在高度商品化的DRAM领域的快速进展已经形成了“滚雪球效应”。他说：“市占率越高，产量就越大，良率也越高，成本随之降低，进而再度提升市场占有率。”
技术进步与政策支持
自2023年以来，长鑫存储开始生产其最先进的芯片；长鑫存储去年被美国商务部移出黑名单，如今能够继续与美国企业进行业务往来。
长鑫存储的崛起已经威胁到了三星、SK海力士和美光在DRAM市场的主导地位。2023年，这三家公司合计占据了DRAM市场96%的营收。随着长鑫存储不断扩展其技术和生产能力，预计将进一步打破现有的市场格局。
综上所述，长鑫存储凭借其快速增长的产量、不断提升的技术水平以及有效的市场策略，正在逐步缩小与韩国竞争对手的差距，并有望在未来几年内成为全球DRAM市场的重要参与者。这一发展不仅对中国半导体行业具有重要意义，也将对全球存储器市场的竞争格局产生深远影响。