韩媒：中国长鑫存储追赶韩国DRAM制程，15纳米今年开发明年量产

韩国媒体报道称，中国存储器厂商长鑫存储（CXMT）正在加速开发下一代DRAM技术。原本计划为其首款商用DDR5产品采用17纳米制程，但现转向更先进的16纳米制程。下一代15纳米制程也在现有基础上进行开发，目标是在2025年完成，并于2026年下半年实现商业化。
技术进步与市场动态
根据ZDnet Korea的报道，研究机构TechInsights近期对长鑫存储最新的DRAM制程进行了评估，拆解了中国存储器商Gloway的一款DDR5模组（16GBx2 DDR5-6000 UDIMM），发现其中有16个由长鑫存储制造的16Gb DDR5存储芯片。
TechInsights提供的数据显示，这款16Gb DDR5芯片尺寸为66.99平方毫米，位密度达到0.239Gb/平方毫米，电路线宽估计为16纳米。长鑫存储将该产品命名为“G4”，相比上一代G3（18纳米）的DRAM单元尺寸缩小了20%。三星、SK海力士等公司在2016年发布的16纳米DRAM制程被称为“1y”。
政府支持与技术突破
长鑫存储得到了中国的大力支持，推动其先进DRAM的研发和产能提升。目前，公司主要生产17至18纳米的DDR4、LPDDR4X等较为成熟的产品。但在2024年11月首次发布了LPDDR5产品，并在今年早些时候成功实现了DDR5的商业化。有消息称，长鑫存储对其DDR5 G4制程非常有信心，现在又证明下一代制程的开发速度比原计划更快。
TechInsights指出，长鑫存储一直在同时开发17纳米和16纳米的制程技术。在开发出17纳米制程技术之后，紧接着完成了16纳米制程技术的开发。因此，首款商用DDR5产品采用了更为先进的G5 16纳米制程技术，而非原先计划的17纳米制程。
面临挑战与应对策略
尽管如此，长鑫存储的G5原计划发展15纳米制程技术，但由于美国加强了对先进半导体制造设备的出口限制，在无法引进EUV先进制造设备的情况下只能暂缓。然而，随着技术开发的成熟，预计利用现有设备，长鑫存储也足以开发和量产下一代制程。值得注意的是，即便是美光的13纳米DRAM制程技术也没有使用EUV。
2019年，三星电子和SK海力士分别开发出了“1z”15纳米DRAM制程，并致力于“1b”12纳米DRAM制程的研究。虽然韩国与中国存储器厂商之间仍存在一定差距，但随着中国技术的进步，这一差距正在逐渐缩小。
展望未来
长鑫存储计划在2025年底完成G5制程的开发，并在2026年上半年完成样品制作，下半年就能看到G5产品的上市。虽然初期良率可能不会太理想，且仍在开发阶段面临诸多挑战，但长鑫存储正积极推动工艺优化和设备国产化，以克服瓶颈。
此外，先进DRAM不仅需要EUV等曝光机，还需要几种先进的生产设备，如高深宽比蚀刻（HAR）和低温蚀刻等，这些设备因美国禁令难以获取。面对这一挑战，中国正在积极努力推进技术自立，通过自主研发和本地化生产来解决关键设备和技术的短缺问题。
总之，长鑫存储在追赶全球领先DRAM制程方面取得了显著进展，尽管面临着技术和政策上的多重挑战，但凭借持续的技术创新和政府支持，有望在未来几年内进一步缩小与国际领先企业的差距。这对于中国半导体产业的发展具有重要意义，并为中国在全球半导体市场的竞争力提供了坚实的基础。