三星推动中国西安工厂向286层NAND Flash生产技术发展，预计下半年量产

韩国媒体报道，三星计划将其位于中国西安的工厂升级至286层堆叠的NAND Flash生产技术，以应对当前市场低迷，并抵御来自中国长江存储等中国半导体公司日益激烈的竞争。此前，长江存储宣布已开始大规模生产294层堆叠的NAND Flash。
技术升级与市场竞争
BusinessKorea报道指出，自2023年以来，三星一直在推动西安工厂从主流128层堆叠NAND Flash制程向236层堆叠技术发展。为了进一步提升其竞争力，三星决定在该工厂安装一条286层堆叠的NAND Flash生产线。这条产线计划在上半年引进所需的新设备，并在下半年建立完成一条月产能为2,000至5,000片晶圆的生产线。这一举措是三星保持技术领先地位和确保长期产品竞争力策略的一部分。
西安工厂的重要性
双重策略巩固竞争优势
市场人士指出，三星在国内提升先进NAND Flash生产技术的同时，也在中国进行相关的技术升级。这种双重策略凸显了三星企图维持国内外竞争优势的决心。自2024年下半年以来，三星一直致力于将400层堆叠的NAND Flash生产技术应用于韩国平泽一号工厂量产线，并可能在2025年下半年实现初步量产步骤。
市场需求与产量调整
尽管三星在加速向236层和286层堆叠的NAND Flash生产技术发展的过程中取得了进展，但预计2025年第一季度每月42万片的NAND Flash产量仍较2024年第四季度减少约25%。这主要是因为当前手机和PC市场需求下滑，导致供过于求现象。然而，随着人工智能数据中心等市场需求的增长，推动了三星等企业专注于高效能、高容量NAND Flash产品的生产。
结语
三星通过在中国西安工厂推进286层NAND Flash生产技术的发展，不仅提升了自身的技术实力，还有效应对了市场竞争压力。此次升级不仅有助于提高西安工厂的生产能力，也为三星在全球NAND Flash市场中保持领先地位提供了有力支持。面对全球经济环境的变化和市场需求的波动，三星展现了灵活应对的能力，并通过技术创新不断优化其产品结构，满足不同领域的需求。这为中国半导体产业提供了宝贵的参考经验，激励本土企业在不断提升技术水平的同时，积极适应市场变化，增强国际竞争力。