2027年底DRAM有望迈入个位数纳米时代

近日，TechInsights平台发布了T1 - 2025 DRAM视频简报，其中透露了关于动态随机存取存储器（DRAM）技术的重要信息、发展路线图更新、趋势分析、产品比较以及前景展望。

当前市场上，D1a和D1b是主流的DRAM产品。不过，TechInsights预测到2027年底，DRAM将迈入个位数纳米技术节点，像D0a这样的先进技术节点将逐渐崭露头角，随后还会迎来0b和0c世代。在2025年第一季度，SK海力士率先推出了少量D1c产品。预计在2026年和2027年，D1c世代将占据市场主导地位，并且会广泛应用于高带宽存储器HBM4 DRAM中。

从市场层面来看，HBM产品尤其是HBM3和HBM3E展现出卓越的性能，但目前价格较为昂贵。而传统的低功耗双倍数据速率LPDDR5和双倍数据速率DDR5器件，虽然价格相对较低，不过性能也相对较弱。

随着人工智能和数据中心的飞速发展，未来对单个裸晶的内存容量提出了更高要求，市场期望能有32 Gb、48 Gb或64 Gb的芯片出现。然而，目前市场上主流的仍是16 Gb裸晶。为了满足这一需求，在更高密度的DRAM芯片研发中，3D DRAM架构成为关键的发展方向，如4F2垂直沟道晶体管（VCT）单元、铟镓锌氧化物IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元等。这些技术需要在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，三星、SK海力士和美光等主要厂商正将其作为下一代DRAM缩放的候选方案进行积极探索。

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总体而言，DRAM技术正朝着更高性能、更小尺寸的方向快速发展，市场也在不断演变。这既为行业带来了新的机遇，也伴随着诸多技术挑战和投资风险。各相关企业和投资者都需密切关注市场动态，把握发展趋势。