韩媒：中国内存技术崛起，三星电子如何破局？

 据朝鲜日报报道，在全球半导体存储芯片市场的激烈竞争中，三星电子曾经长期占据着主导地位。然而，随着中国长鑫存储和长江存储等企业的技术飞速发展，三星电子面临着前所未有的挑战，其存储芯片技术优势逐渐缩小，不得不重新审视并重塑自身战略。
技术差距缩小，市场份额受威胁
近年来，中国存储芯片企业的技术进步令人瞩目。长鑫存储凭借快速增长的产能，在一般 DRAM 市场中逐渐崭露头角，不断蚕食市场份额。而长江存储在 NAND 闪存技术方面的突破，更是让行业格局发生了巨大变化。曾经在 NAND 闪存领域占据绝对领先地位的三星电子，如今被认为已被长江存储追平。
长江存储专注于混合键合技术的研发，其命名为 “Xtacking” 的技术，在 NAND 闪存迈向 400 层堆叠的进程中，成为了关键技术。与三星电子和 SK 海力士一直以来改进现有堆叠方法不同，长江存储在过去四到五年积极进行混合键合技术开发，取得了领先优势。截至去年第三季度，虽然三星电子在全球 NAND 闪存市场仍以 35.2% 的市场份额排名第一，但长江存储的份额虽低于 5%，却在不断增长。随着长江存储技术的进一步成熟，三星电子的市场份额面临着被进一步挤压的风险。
战略调整，应对技术挑战
面对技术差距的缩小，三星电子不得不采取一系列战略调整措施。在下一代 NAND 闪存量产之前，三星电子决定使用长江存储关于 “混合键合” 等核心工艺的工艺专利。混合键合技术无需使用晶圆之间突起的凸块，直接粘附晶圆，这一技术的应用对于三星电子保持在 NAND 闪存市场的竞争力至关重要。然而，这也意味着三星电子在下一代工艺技术上，需要依赖竞争对手的专利，凸显了其在技术研发上的困境。
在先进 DRAM 业务方面，三星电子同样面临挑战。目前，三星电子正在重新设计尖端的 10 纳米级第六代（1c）DRAM，而下一代 10 纳米级第七代（1d）DRAM 的开发也进展不顺。重新设计 1c DRAM 芯片需要耗费大量时间和资源，因为不仅要彻底重新设计电路，还需对大规模生产所需的掩模和组件进行额外重新设计。这使得三星电子在抢占尖端 DRAM 业务市场方面面临巨大挑战，全球第三大存储半导体公司美光已率先向客户供应 1c DRAM 样品，抢占了先机。
未来挑战与机遇并存
如果 1c DRAM 的开发继续受挫，三星电子的第六代高带宽内存（HBM4）业务也将受到严重影响。在第五代 HBM（HBM3E）市场失去领导地位后，三星电子将希望寄托在 1c DRAM 应用于 HBM4 上，以挽回在人工智能半导体时代的劣势。然而，竞争对手 SK 海力士计划在其 HBM 产品中使用 1b DRAM，三星电子的 HBM4 业务前景充满不确定性。此外，下一代 1d DRAM 技术的发展速度低于预期，原本三星电子目标将 1d DRAM 的电路线宽减少到 10.3 纳米至 10.4 纳米左右，但当前技术的限制可能阻碍这一目标的实现。尽管面临诸多挑战，但三星电子也并非毫无机遇。凭借其多年积累的技术研发实力和庞大的市场基础，三星电子仍有机会通过加大研发投入、优化产品结构等方式，重新夺回技术优势。同时，三星电子也可以通过加强与其他企业的合作，拓展新的市场领域，以应对中国存储芯片企业的竞争。
三星电子在面对中国内存技术崛起带来的竞争压力时，需要迅速且有效地调整战略，加大研发投入，寻找新的技术突破点，以在全球存储芯片市场中保持竞争力，实现可持续发展。