三星豪赌HBM3E：提前量产押注英伟达认证，能否扭转颓势？

据韩国媒体ZDNet Korea报道，三星电子已于2025年2月左右，开始全面量产12层堆叠的HBM3E高频宽存储器。尽管目前尚未通过图形处理器巨头英伟达对该规格产品的最终质量认证，意味着暂时无法供货，但三星仍选择提前大规模投产，展现出其在高端存储市场中的决心与信心。
这一决策背后，反映出HBM产品从DRAM制造到封装完成所需时间较长的特点——通常需要5至6个月。即便三星能在2025年6月至7月间获得英伟达的供货资格，实际出货也预计要推迟至年底。然而，随着AI芯片迭代速度加快，届时市场需求可能已部分转向下一代HBM4。因此，三星选择“抢跑”量产，虽面临库存积压风险，但也为抢占市场份额争取了宝贵时间。
业内消息指出，三星对其增强型12层堆叠HBM3E的性能与稳定性颇具信心，认为通过英伟达的严格验证只是时间问题。提前布局不仅有助于快速响应潜在订单需求，也将助力三星实现2025年HBM产品供应位元数较2024年翻倍的目标。
据悉，英伟达将在2025年6月对三星的HBM3E进行最终品质验收，若顺利达标，三星将正式进入供货名单。此举对三星而言意义重大，或将为其半导体业务注入新的增长动能，尤其是在AI芯片高速发展的当下，HBM成为兵家必争的关键零部件。
目前，英伟达最新一代AI芯片主要采用12层堆叠HBM3E存储器，而该产品的主力供应商为SK海力士。三星若能成功打入供应链，将有望改变当前由竞争对手主导的局面，重新夺回高端存储市场的主动权。
值得注意的是，近年来三星半导体部门面临不小压力。受中国存储厂商价格竞争以及HBM等关键产品交付延迟影响，其盈利能力持续下滑。数据显示，2024年第二季度三星半导体营业利润尚有6.5万亿韩元，但到2025年第一季度已骤降至1.1万亿韩元，跌幅明显。
在此背景下，HBM3E能否顺利通过英伟达认证、并实现稳定出货，将成为三星半导体业务能否止跌回升的重要转折点。这场技术与市场的双重博弈，正在全球AI算力竞赛的大潮中悄然展开。