​ SK海力士1z纳米DDR4停产计划敲定，存储产业加速转型

继三星电子于2025年4月宣布1z纳米制程DDR4颗粒停产（EOL）后，韩国存储厂商SK海力士也向供应链发出通知，明确其1z纳米制程的8Gb、16Gb DDR4颗粒将逐步退出市场。这一决定标志着全球三大存储厂商（三星、SK海力士、美光）正同步推进DDR4技术的淘汰进程，将资源集中转向高附加值的DDR5、LPDDR5及HBM（高带宽存储器）等高端产品领域。
 产能削减与市场影响
据供应链消息，SK海力士计划将DDR4的生产份额压缩至20%，并优先保障DDR5和HBM产品的产能分配。此举与三星的策略高度一致——三星已明确1y纳米DDR4颗粒将在2025年快速缩减，1z纳米DDR4则预计于2026年进入EOL阶段，最终于2027年全面停产。美光亦宣布停止供应服务器用旧版DDR4模块，仅保留消费级DDR4产品的有限供应。三大厂商的集体行动，预示着DDR4时代的终结已进入倒计时。
 供应紧张与价格波动
随着DDR4颗粒的逐步退出，市场供需格局将面临显著调整。目前，基于1y纳米16Gb DDR4颗粒的产品已率先出现供应减少，而1z纳米颗粒的停产将进一步加剧货源紧张。机构分析指出，尽管美国“互惠关税”政策引发的囤货需求暂时支撑了内存价格，但长期来看，DDR4的短缺可能导致现货市场价格波动加剧。以DDR4 1Gx8 3200MT/s为例，其现货价格已从1.72美元上涨至1.80美元，涨幅达4.88%。然而，NAND闪存市场则呈现分化，因生产削减与价格高企导致交易量下滑，512Gb TLC晶圆现货价格本周下降0.54%。
 高端产品崛起与行业趋势
存储厂商的转型战略背后，是人工智能、数据中心和高性能计算（HPC）等新兴需求的驱动。据机构预测，2025年HBM产品在DRAM市场中的占比将接近30%，市场规模达2880亿比特当量，而DDR5的普及率也将持续提升。三星、SK海力士和美光正加速推进HBM4的量产落地，并扩大QLC SSD的市场份额。例如，三星计划将HBM3E产能提升三倍，同时将QLC SSD的市场占比目标从15%提高至30%。此外，三星已启动HBM4的4纳米试产，预计将在验证逻辑芯片性能后提供样品。
 供应链应对与客户调整
面对DDR4退场的浪潮，原始设备制造商（OEM）和模块厂商需加快技术升级步伐。三星明确表示，其1a及1b纳米制程的DDR5模块将优先供应给戴尔、惠普、华硕等主流PC厂商，而旧制程的DDR4颗粒则继续面向消费级市场。这一策略可能引发中小厂商和消费者的成本压力，但同时也推动行业整体向高性能、低功耗的DDR5标准迁移。供应链专家指出，DDR4的稀缺性或将促使部分客户提前采购库存，进一步加剧短期市场的不确定性。
 未来展望
尽管DDR4的退出为存储产业带来短期挑战，但其背后反映的是技术演进的必然趋势。随着AI服务器、边缘计算和智能终端对高带宽、大容量存储的需求激增，HBM和DDR5的市场潜力将持续释放。机构预测，2025年全球存储市场产值将实现2%的微幅增长，而HBM和DDR5的销售额有望占据主导地位。对于SK海力士而言，其1z纳米DDR4的停产不仅是技术路线的调整，更是对市场需求变化的积极回应，未来能否在高端存储领域稳固优势，将成为其竞争成败的关键。