​长江存储增产NAND闪存，有望超越美光

根据韩国朝鲜日报最新报道，中国领先的NAND闪存制造商长江存储技术有限公司预计将在今年实现产量的重大突破，超过美国的美光科技，进一步稳固其在全球NAND闪存市场的地位。长江存储计划增加其位于武汉的生产线产量，紧跟全球NAND闪存市场排名第三的SK海力士。
市场研究公司Omdia的数据显示，长江存储的NAND闪存量产出预计将从2024年的121万片增长至2025年的151万片，创下历史新高，并超过了美光在NAND闪存领域年产量约130万片的记录。随着长江存储在200层以上高级3D NAND闪存芯片良率上的提升，预计其在中国国内市场的份额将进一步扩大。
与之形成对比的是，三星电子和SK海力士为了应对平均售价的下滑，决定减少NAND闪存的生产量。三星电子预计将其年度产量从2024年的507万片下调至2025年的475万片，降幅约为6%；SK海力士则将从2024年的210万片减至2025年的198万片，下降了大约5%。同样地，铠侠（与西数合作）也加入了这一减产行列，而长江存储则是大幅提高了产量。
行业内部人士透露，“中国正在为采用国产存储器的公司提供补贴或各种优惠政策，以增强半导体自给自足的能力”。就像长鑫存储在DRAM市场中所占份额的增长一样，长江存储也有望加强其在国内市场的领导地位。
评估显示，中国NAND闪存的技术竞争力和良品率有了显著提高。据TechInsights报告指出，长江存储已成为首批批量生产第5代3D NAND的企业之一，在270层级别上实现了1TB容量的三重位单元(TLC)。此外，长江存储还在混合键合技术方面取得了重大进展，这是一种能够提升系统及存储半导体性能的先进工艺。
值得注意的是，随着长江存储在高层NAND领域的持续进步，其产品层数已达270层，虽然仍略低于三星电子的286层和SK海力士的321层，但差距正在迅速缩小。TechInsights认为，长江存储在这方面取得了重要成就，特别是在芯片尺寸和每平方毫米容量方面达到了20.47Gb/㎟。
然而，由于2025年第一季度以来NAND闪存市场供过于求的情况，导致了市场价格的持续下跌，影响了制造商的盈利能力。机构分析指出，2025年NAND闪存的年需求增长率已由原先预期的30%下调至10-15%，这表明市场正经历调整期。尽管如此，长江存储凭借其技术和生产能力的不断提升，正逐步成为全球NAND闪存市场的重要力量。