SLC NAND Flash 如何改写代码存储格局

在存储技术的不断演进中，各类存储产品推陈出新，满足着不同领域的多样化需求。近日，东芯股份在 2025 年 5 月 14 日接受了 14 家机构调研，其在存储领域的布局与技术趋势引发了广泛关注。
东芯股份在 NOR Flash 方面有着清晰的规划。公司基于 48nm、55nm 制程，持续推进 64Mb - 2Gb 的中高容量 NOR Flash 产品研发。针对不同容量目标客户群进行精准定位，力求在性能、功耗和性价比之间找到最佳平衡。随着产品的持续迭代升级，品类不断丰富，未来将为可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子等多个领域的客户，提供多样化且高可靠性的产品选择。在代工和封测方面，作为 Fabless 设计公司，东芯股份极为重视供应链体系的稳定可靠。公司与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了互助、互利、互信的合作关系，构建起 “本土深度、全球广度” 的供应链网络。同时，坚持 “双轨并行” 发展策略，积极拓展境内外双代工模式，以契合不同客户的需求。
在存储技术领域，一个显著的趋势正悄然发生 ——SLC NAND Flash 凭借自身独特优势，在特定领域已形成对 NOR Flash 在代码存储应用中的替代效应。以智能穿戴设备等领域为例，SLC NAND Flash 的擦写速度优势，能够让设备在数据读写时反应更为迅速，大大提升了运行效率。其存储密度优势也十分突出，在有限的设备空间内，可存储更多的数据与代码，为智能终端设备性能的提升开辟了新路径，重塑了存储器市场格局。
SLC NAND Flash 存储密度最小，但使用寿命更长。而 NOR Flash 通常用于低存储容量、代码执行和高可靠性应用。在当下，生成式 AI 浪潮带动算力需求增加，也拉动了 NOR Flash 需求，如 GPU 增加将带动终端设备增长 40 - 60 颗 NOR Flash，其搭配的网卡等周边设备也会采用 NOR Flash 存储。AI PC 的发展同样需要额外的 NOR Flash 资源，PC 中 Nor Flash 主要用于 BIOS 固件存储，有望受益于 AI PC 带动的换机潮，且 NOR Flash 容量也向 128Mb 以及 256Mb 推进。此外，汽车智能化提升，NOR 产品用于信息娱乐系统、高级驾驶员辅助系统（ADAS）和仪表板仪表组等，也将受益于这一趋势。不过，在消费领域，由于价格等因素，NOR Flash 正逐渐被 SLC NAND Flash 替代。
从利基型 DRAM 市场来看，这一市场呈现出成熟技术与动态需求交织的独特生态。当前市场以 DDR3、小容量 DDR4 及 LPDDR1 - LPDDR4x 等主流工艺节点产品为核心架构，技术路线更关注稳定性和兼容性。需求主要来自消费电子（如智能电视、机顶盒）、工业控制系统（如安防监控、工控设备）以及汽车电子基础模块（如车载信息娱乐系统、ADAS 辅助系统）。国际三大原厂（三星、SK 海力士、美光）持续将产能向 DDR5、LPDDR5x 及 HBM 等高性能存储领域倾斜，这为大陆及中国台湾供应商在利基型市场创造了机遇。
随着技术的持续发展，存储领域还将不断涌现新的变革与机遇。SLC NAND Flash 对 NOR Flash 在代码存储应用中的替代效应，或许只是存储技术革新浪潮中的一个缩影。未来，在不同应用场景的驱动下，存储技术将朝着更高性能、更低功耗、更大容量的方向持续迈进。