HBM4新一代规格问世，制造难度升级推动价格持续走高

随着人工智能服务器对高性能存储器需求的快速增长，HBM（高带宽存储器）技术正加速迭代。当前三大原厂正在积极推进HBM4产品的研发与量产进程。由于HBM4在设计上的复杂性显著提升，包括I/O数量翻倍、晶圆面积扩大以及部分厂商采用逻辑芯片架构等因素，整体制造门槛大幅提高，预计其市场溢价将超过30%，远高于前代HBM3e约20%的溢价水平。
英伟达在今年GTC大会上发布了下一代GPU产品Rubin，而AMD也推出了MI400系列与其竞争，两者均计划搭载HBM4作为核心存储解决方案。这标志着HBM4将成为未来AI训练和推理任务的关键支撑技术。
从技术参数来看，HBM4相较于上一代HBM3e，在数据传输速率方面维持在8.0Gbps以上，但其I/O通道数由1024条翻倍至2048条，使得整体数据吞吐量实现成倍增长。这种“双倍带宽”的特性，能够更好地满足AI大模型在训练过程中对海量数据高速读取和处理的需求。
此外，为了进一步优化性能，SK海力士与三星的部分HBM4产品已不再采用传统的纯存储器架构，而是改用逻辑芯片作为基础裸晶（Base Die）。这种新架构不仅提升了数据路径效率、降低了延迟，同时在高速传输环境下也能保持更高的稳定性，代表了HBM技术向系统级整合迈进的重要一步。
市场需求的强劲增长也推动了HBM整体市场的扩张。据预测，到2026年全球HBM总出货量将突破300亿Gb，其中HBM4的市占率将逐季上升，并有望在2026年下半年超越HBM3e系列产品，成为主流选择。
从供应商格局来看，SK海力士凭借领先的技术成熟度和产能布局，预计将占据超过50%的市场份额，继续稳居行业第一。三星与美光则仍需进一步提升产品良率与量产能力，才能在激烈的市场竞争中迎头赶上。
随着HBM4的逐步普及，其高昂的成本与稀缺的供给短期内仍将维持，这也为产业链上下游带来了新的机遇与挑战。未来，围绕HBM技术的创新竞赛还将持续升温，尤其是在AI芯片与数据中心等关键应用领域，高性能存储器将继续扮演不可或缺的角色。