SK海力士推出全球最高321层UFS 4.1 NAND闪存，引领智能手机存储技术升级

韩国存储大厂SK海力士近日宣布，成功开发出全球首款基于321层堆叠技术的1TB TLC 4D NAND闪存芯片，并将其应用于UFS 4.1移动存储解决方案。这是目前全球堆叠层数最高的NAND闪存产品，标志着移动设备存储技术迈入新阶段。
这款新型UFS 4.1存储芯片在性能、能效与封装厚度方面均有显著提升。其顺序读取速度高达4300MB/s，可大幅提升手机应用启动和数据加载效率。随机读写速度也分别提升了15%和40，有助于增强多任务处理能力，尤其是在运行本地AI模型时表现更为出色。
值得一提的是，该产品的封装厚度从此前的1mm降低至0.85mm，虽仅减少0.15mm，但对于追求极致轻薄设计的旗舰智能手机而言意义重大。同时，相比上一代基于238层NAND的产品，新款芯片能效提高了7%，有助于延长电池续航并减少发热。
SK海力士表示，这款UFS 4.1 NAND闪存主要面向边缘人工智能应用场景，能够更快地响应本地AI任务需求，如图像识别、语音处理和实时翻译等。它将优先供应高端智能手机市场，目前已进入客户送样验证阶段，预计将在2026年第一季度实现大规模量产。
容量方面，该产品提供512GB与1TB两个版本，未推出256GB型号。这也意味着未来旗舰机型在存储配置上可能进一步向高容量倾斜，推动用户向更大容量机型迁移。
此外，SK海力士计划在此基础上继续推进消费级与数据中心级SSD产品的研发，年内将完成相关固态硬盘产品的开发工作。通过构建覆盖移动端、PC端与服务器端的AI存储产品组合，SK海力士正加速巩固其作为全方位AI存储解决方案供应商的地位。
随着边缘AI功能在智能手机上的普及，对高性能、低功耗存储的需求持续增长。SK海力士此次推出的321层UFS 4.1 NAND闪存，不仅体现了其在NAND技术研发方面的领先实力，也为下一代智能终端提供了更强大的底层支持。