华邦电自研CUBE实现类 HBM 效果，明年起贡献营收

中国台湾半导体厂华邦电透露，公司自主研发的 CUBE（客制化超高频宽记忆体元件；Customized Ultra-Bandwidth Elements）解决方案，能够运用 DDR3 芯片的垂直堆叠设计，实现类似 HBM（高频宽记忆体）的效果，其带宽甚至超越 HBM4。预计从 2026 年起，CUBE 将逐步为公司带来营收，华邦电期望到 2028 年，CUBE 的营收能占公司 DRAM 事业的 40%。该产品最初可能在挖矿应用领域崭露头角，后续还会拓展至监控摄影、穿戴装置等 AI 边缘运算场景。
华邦电表示，目前在实验室已完成 3 颗 DDR3 芯片堆叠的 CUBE 版本，在量产阶段，目标是挑战堆叠至 4 颗芯片，外加一 supporting die。这种设计极具弹性，可依据 SoC 面积与 I/O 数量对带宽进行调整。一般标准 DRAM 的 I/O 数量通常仅为 16 至 24 个，而 CUBE 设计的 I/O 数量可扩展至 2000 至 8000 个。即便在低频率运作的状态下，CUBE 依然能够达成高效能的数据传输。
华邦电特别强调，CUBE 并非要取代 HBM，而是旨在填补 HBM 与传统 DRAM 之间的市场空白。以 HBM3e 为例，单一 1GB 产品的售价约为标准 DRAM 的 7 倍，相比之下，华邦电的 CUBE 预期能以约一半的价格提供给客户，并且还能提供 2GB、4GB、8GB 等多种弹性容量组合，十分契合那些不需要大容量，但对高频宽与低热负载有需求的 SoC 应用场景。
从技术难度来看，CUBE 采用 Wafer-on-Wafer 架构进行堆叠，内部接点超过 1 兆处，且每个接点间距仅有 3 微米，这对贴合良率与杂质控制的要求极为严苛，量产难度极大。华邦电坦言，这是一条充满挑战的产品线，但相应地，其获利潜力也相当可观。目前，CUBE 产品均在高雄厂进行试产，大部分采用 16 纳米制程，也有少数客户选择 20 纳米制程。
产能方面，高雄厂月产能约为 1.5 万片，台中厂月产能达 5.2 万片。自 2025 年 3 月起，华邦电这两个厂的产能已全部满载，这充分反映出急单需求的强劲态势。不过，华邦电也表示，近期新台币汇率急剧上升，而产品报价并未上涨，这使得公司在第二季实现转盈面临挑战。公司计划等待下半年市场需求回升以及价格调涨的机会，以此来抵消汇率压力，推动业绩增长 。