韩媒：长鑫存储2025年底前交付HBM3样品

据韩媒Financial News报道，中国存储芯片制造商长鑫存储计划在2025年底前交付第四代高带宽存储器（HBM3）样品，并预计从2026年开始全面量产。这一举措显示了长鑫存储在高性能存储器领域的雄心壮志，同时也标志着其技术研发和生产能力的进一步提升。
此外，长鑫存储还设定了于2027年开发第五代HBM（HBM3E）的目标，显示出公司对于未来技术发展的长远规划。原本计划于2026年才开始开发HBM2的长鑫存储，现已将时间表提前至2025年实现中小规模生产，这表明公司在HBM领域的开发和量产蓝图正在加速推进。
为了支持这一快速发展的计划，长鑫存储也在积极扩充产能，目标是在2025年第四季度将其HBM专用产能提升至每月大约5万片晶圆。与此同时，长鑫存储正逐步向高附加值DRAM转型，计划到2025年底，使DDR5产品占其整体DRAM出货量的60%，以满足市场对高性能存储器日益增长的需求。
面对长鑫存储的强势崛起，韩国两大存储巨头三星和SK海力士也加快了技术升级的步伐。SK海力士已开始向主要客户提前供应第六代HBM（HBM4）12层样品，并计划从2025年下半年开始量产。而三星则持续优化其1c DRAM良率，加速布局包括HBM4在内的先进产品生产线，特别是在韩国平泽的第四工厂（P4），成为设备投资的重点区域。
这些动态反映了全球半导体存储行业竞争的加剧和技术进步的加速。随着人工智能、数据中心以及高性能计算等领域对高速存储需求的不断增长，各大厂商都在努力通过技术创新和产能扩张来保持竞争力。长鑫存储此次的快速发展不仅为自身赢得了更多市场份额的机会，同时也促使其他厂商不断提升技术水平，推动整个行业的进步和发展。