美光发布全球首款 1γ 制程 LPDDR5X 内存，引领移动内存新变革

 在智能手机性能不断攀升的当下，内存技术作为关键一环，正迎来全新突破。近日，美光科技正式宣布，已开始向部分合作伙伴出货全球首款基于 1γ 制程节点的 LPDDR5X 内存样品，这一消息瞬间在半导体和智能手机行业掀起波澜。这款专为旗舰智能手机量身打造的内存新品，将在提升 AI 性能、优化功耗以及适配轻薄设计等多方面，为未来智能手机体验带来质的飞跃。
先进制程，奠定性能基石
1γ 制程节点堪称美光在半导体制造领域的又一里程碑。它隶属于第六代 10nm 级别 DRAM 工艺，特征尺寸被精准控制在 11 至 12 纳米区间。在韩国半导体行业语境中，这一工艺通常被称为 1c DRAM。相较于前代制程，1γ 制程在多个维度实现了重大跨越。通过引入全新的材料、优化芯片内部电路布局以及革新制造工艺，1γ 制程不仅显著提升了芯片的集成度，还极大地改善了电子迁移等关键性能指标，为 LPDDR5X 内存卓越性能的发挥提供了坚实的底层支撑。
高速低耗，重塑 AI 体验
美光的 1γ 节点 LPDDR5X 内存，以行业领先的 10.7Gbps 传输速度惊艳亮相。这一速度意味着在一秒内，内存能够传输高达 10.7Gbit 的数据量，相较上一代产品实现了大幅提升。在智能手机运行各类 AI 应用时，如智能语音助手快速理解并执行用户指令、图像识别软件瞬间完成对复杂场景的分析，高传输速度确保了数据能够在处理器与内存之间高效流转，大大缩短了数据处理时间，显著提升了 AI 应用的响应速度和流畅度。在追求高性能的同时，美光并未忽视功耗问题。这款 LPDDR5X 内存较上一代产品功耗降低了 20%。随着智能手机功能日益丰富，AI 功能的频繁使用使得电量消耗成为用户痛点。美光通过在 1γ 制程中优化芯片内部电路设计，降低电子在电路中传输的电阻，减少不必要的能量损耗，让智能手机在运行 AI 应用等高负载任务时，能够以更低的功耗运行，有效延长了设备续航时间，为用户带来更持久、便捷的使用体验。
超薄封装，适配轻薄趋势
当下，智能手机市场对轻薄设计的追求愈发狂热。为了契合这一趋势，美光在 LPDDR5X 内存的封装设计上狠下功夫。经过精心优化，其封装厚度成功降至 0.61 毫米，这一数据使其比市面上现有的竞品薄 6%，较上一代产品更是薄了 14%，成为目前行业最薄的 LPDDR5X 内存。更薄的内存封装，为智能手机内部结构设计释放出更多宝贵空间，手机厂商得以更从容地布局电池、摄像头等其他关键组件，从而实现手机整体厚度的进一步降低，或在维持现有厚度的基础上，搭载更大容量的电池，提升产品竞争力。对于折叠屏智能手机而言，超薄内存封装更是意义非凡，它有助于减轻折叠部位的重量和厚度，提升折叠屏开合的流畅性和耐用性，为折叠屏手机的设计创新提供了更多可能。
EUV 技术首秀，开启未来篇章
值得重点提及的是，美光在这款 1γ 节点 LPDDR5X 内存中首次采用了极紫外光刻（EUV）技术。EUV 技术凭借其能够实现更小光刻尺寸的优势，在半导体制造领域被誉为 “皇冠上的明珠”。以往，受传统光刻技术限制，芯片制程工艺在向更小尺寸推进时面临诸多挑战，而 EUV 技术的应用，为美光突破这些瓶颈提供了有力工具。通过 EUV 光刻技术，美光得以在 1γ 制程中打造出更为精细、复杂的芯片电路结构，实现更高的芯片集成度和性能优化。这不仅为当下的 LPDDR5X 内存带来了显著提升，更预示着美光在未来内存技术研发上已抢占先机，为后续推出更多先进产品奠定了坚实基础。美光目前正紧锣密鼓地推进产品布局。当下，正积极与部分合作伙伴开展基于 1γ 节点的 16GB LPDDR5X 内存样品的合作验证工作。同时，美光已制定宏伟计划，将于 2026 年全面推出覆盖 8GB 到 32GB 容量的全系列 LPDDR5X 产品。这一丰富的容量选择，将全方位满足旗舰智能手机市场多样化的需求。无论是追求极致性能、需要大容量内存运行各类大型游戏和专业应用的高端用户，还是对手机日常使用流畅度有较高要求的普通消费者，美光的 1γ 节点 LPDDR5X 内存都将提供合适的解决方案。
美光推出的 1γ 制程 LPDDR5X 内存，凭借其在制程工艺、传输速度、功耗控制、封装设计以及新技术应用等多方面的卓越表现，为智能手机行业注入了全新活力。随着 2026 年全系列产品的逐步上市，我们有理由期待，搭载这款先进内存的旗舰智能手机将为用户带来前所未有的出色体验，推动智能手机行业迈向新的发展高度。