三星HBM3E芯片认证再受挫，美光领先交付HBM4样品

近日，据香港券商最新报告指出，三星电子在今年6月第三次未能通过英伟达12层HBM3E芯片的认证。作为韩国科技巨头，三星预计将在今年9月进行第四次认证尝试。这一挫折使得三星在DRAM业务上追赶韩国同行SK海力士的努力变得更加艰难。
三星电子未能达到英伟达的标准，导致其进入下一波AI工作负载高频宽存储器（HBM）供应的时间表进一步不确定。尽管三星提前提升了HBM3E的产量，但由于未获认证，其供应计划不得不推迟。与此同时，竞争对手美光科技则取得了显著进展。美光利用韩美半导体的热压键合（TCB）设备，提高了8层和12层HBM3E芯片的良率，其中12层HBM3E芯片的良率达到70%，而8层HBM3E芯片的良率则高达75%。
瑞银近期发布的报告也显示，三星电子的12层HBM3E认证仍处于“待决”状态，并预测该公司向英伟达的供货可能会推迟至今年第四季度。由于英伟达等AI芯片制造商需要更快、更高效的存储器解决方案，此次挫折可能改变竞争激烈的HBM市场格局。
另一方面，美光科技于6月12日宣布，已向主要客户交付其第六代HBM4样品，用于AI芯片开发。这使得美光成为继SK海力士之后，第二家交付HBM4样品的DRAM制造商。SK海力士已于今年3月开始交付HBM4样品。
由于各大科技公司定制化AI芯片的量产延迟，瑞银调整了对HBM市场需求的预期。该公司目前预测，2023年全球HBM需求量将达到1630亿GB，低于先前预估的1890亿GB；并预计2026年HBM需求量将达2540亿GB，略低于之前预测的2610亿GB。
机构最新调查显示，2023年第一季度由于普通型DRAM合约价格下跌，加上高频宽存储器（HBM）出货规模缩减，DRAM行业的营收为270.1亿美元，环比下降5.5%。值得注意的是，第一季度SK海力士受益于HBM3E芯片出货比例的提升，超越了三星电子，营收和市场份额首次单季排名行业第一。
面对激烈的市场竞争，各厂商都在积极寻求技术突破和市场机遇。随着AI应用的不断扩展，HBM作为关键组件的地位愈加重要。未来，谁能率先攻克技术和市场的双重难关，谁就将在这一领域占据领先地位。三星电子能否在接下来的认证中取得成功，以及美光和SK海力士的表现如何，值得持续关注。