三星HBM3E获AMD大单，AI内存竞争格局再起波澜

据朝鲜日报报道，近日，全球存储芯片巨头三星电子宣布与美国芯片厂商AMD达成一项重要供应协议——其第五代12层堆叠HBM3E内存将用于AMD即将推出的MI350 AI加速器。这一合作不仅标志着三星在高端AI内存市场的关键突破，也进一步缓解了外界对其HBM产品可靠性的担忧。
此次合作的确认，对三星而言意义重大。此前，在HBM领域中，英伟达等国际头部客户更倾向于选择SK海力士和美光的产品，三星则多次处于劣势。但随着HBM3E 12层技术的成熟与量产推进，三星正逐步扭转被动局面。据悉，三星还计划在今年内开始向英伟达供货HBM3E，这或将显著推动其下半年HBM业务的增长。
在6月于加州圣何塞举行的“Advancing AI 2025”活动上，AMD正式对外公布，其新一代AI加速器MI350X和MI355X将采用来自三星和美光的12层HBM3E内存。尽管此前业界已有预期，但这是AMD首次公开确认三星为其HBM3E供应商之一。
据行业消息透露，该款HBM3E内存为三星去年完成开发的36GB规格、12层堆叠DRAM芯片。该产品通过硅通孔（TSV）技术垂直集成24Gb DRAM芯片，每个封装可提供高达36GB的容量。相比此前8层版本，其性能和容量均提升超过50%，支持最高1,280GB/s的带宽以及10Gbps的I/O速度，覆盖1,024个通道，足以实现每秒传输约40部超高清电影的数据量。
为了在不增加封装高度的前提下提升集成度，三星采用了先进的热压缩非导电薄膜（TC NCF）技术，并将芯片之间的间隙缩小至7微米，使垂直集成度提升了20%以上。同时，三星还在设计中优化了信号与热路径的分离结构，通过不同尺寸凸块的合理布局，提高了稳定性和散热效率。
值得关注的是，AMD未来的产品线中仍可能继续依赖三星的技术支持。据透露，其下一代MI400系列GPU预计将搭载第六代HBM4内存，而三星正在积极争取成为主要供应商。在同场活动中，AMD表示MI400 GPU将配备高达432GB的HBM4内存，而由72个MI400 GPU组成的Helios服务器机架，将拥有总计31TB的HBM4内存，其AI处理能力是当前MI355X系统的10倍。
作为AI内存市场的重要战场，HBM4标准已于近期由JEDEC正式敲定，三星与SK海力士均已启动量产准备工作，目标是在今年年底前实现大规模出货。有业内人士指出：“三星在HBM4上押下重注，希望借此重新夺回在与SK海力士和美光的竞争中的优势地位。”据悉，三星计划采用更为先进的第六代（1c）工艺技术制造HBM4，相较于竞争对手目前使用的第五代（1b）工艺，若成功落地，将有望带来显著的性能与良率优势。
在AI算力需求持续爆发的当下，高性能存储器已成为制约系统效能的关键因素之一。此次三星获得AMD的HBM3E订单，不仅为其在AI内存领域的长期发展打开了新局面，也为全球AI芯片供应链注入了新的变量。未来，随着HBM4的普及和技术的不断演进，三星是否能凭借领先工艺重回行业巅峰，值得持续关注。