美光携力成，在高阶SOCAMM内存赛道弯道超车

SOCAMM的内存厂商。这一消息犹如一颗重磅炸弹，在行业内引起了广泛关注。SOCAMM作为一种先进的内存模组，采用LPDDR5X芯片堆叠组成，能够为英伟达的高端计算产品提供更强大的数据处理能力和更高的带宽，满足其在人工智能、高性能计算等领域日益增长的需求。美光此番拔得头筹，不仅彰显了其在内存技术研发上的深厚底蕴，更预示着其在高阶内存市场竞争格局中的地位将得到极大提升。
美光在LPDDR5X技术领域的领先优势，是其能够成功拿下英伟达大单的关键因素之一。三星、SK海力士等韩系内存巨头也在积极布局LPDDR5X市场，但美光凭借其长期以来在内存研发方面的持续投入和技术积累，率先实现了技术突破和大规模量产。早在2024年，三星就宣布其最快的10.7千兆比特/秒（Gbps）LPDDR5X DRAM在联发科技下一代天玑旗舰移动平台完成验证，该产品在功耗和性能上均实现显著提升，较前代产品降低约25%功耗，性能提升约25% 。然而，美光在LPDDR5X技术上的优势不仅仅体现在速度和功耗方面，还在于其芯片堆叠技术和封装工艺的优化，使得SOCAMM模组在有限的空间内能够集成更多的内存容量，为英伟达的产品提供了更强大的存储支持。
在美光的成功背后，有一个重要的合作伙伴功不可没，那就是全球知名的内存封测龙头企业——中国台湾力成科技。随着美光扩大LPDDR5X委外封测订单，力成科技作为主要受益厂商，发挥了关键的助攻作用。力成科技凭借其先进的封装测试技术和大规模生产能力，确保了美光LPDDR5X芯片能够高效、稳定地封装成SOCAMM模组，并及时交付给英伟达。从2024年第二季度起，力成科技的LPDDR5X封装出货量大幅增长，为其营收带来了强劲的增长动力，成为公司业绩增长的重要引擎。力成科技在内存封测领域的深厚技术积累和丰富经验，使其能够与美光紧密配合，共同应对高阶内存市场快速增长的需求。

力成助力美光在高阶SOCAMM内存赛道弯道超车

在当下科技产业蓬勃发展的浪潮中，高阶内存市场正经历着一场激烈的变革与角逐。近期，美光（Micron）在这一领域成功上演了一场逆袭好戏，一举超越韩系竞争对手，率先成为为英伟达（NVIDIA）供应次世代内存模组 SOCAMM 的内存厂商，这一消息瞬间在行业内掀起波澜，引发了广泛关注与热议。
美光突破重围，SOCAMM 率先量产
一直以来，DRAM 市场呈现出三星、SK 海力士和美光三足鼎立的格局，三星凭借深厚底蕴长期占据龙头宝座。但在 SOCAMM 这一新兴领域，美光却后来居上。尽管英伟达曾先后委托三星电子、SK 海力士和美光开发 SOCAMM 内存模组，可美光凭借自身在技术研发上的不懈努力与精准布局，率先获得了量产批准，以市场老三的身份成功逆袭，让韩系竞争对手大为震惊。
SOCAMM 作为英伟达精心构思的内存模组，采用了独特的 16 个堆叠成四组的 LPDDR5X 芯片组成架构。与在 AI GPU 领域作为 DRAM 主角的 HBM 不同，SOCAMM 主要连接至掌控整个系统的 CPU，承担辅助支援的关键角色，确保 AI 加速器能够达到峰值效能。业界普遍认为，SOCAMM 极有可能被纳入英伟达计划于 2026 年推出的 AI 加速器 “Rubin” 中，这也进一步凸显了美光此番突破的战略意义与前瞻性。
力成紧密协作，助攻美光抢占先机
美光此次能够在 SOCAMM 领域拔得头筹，离不开其长期合作伙伴 —— 内存封测龙头力成的全力支持。随着美光不断扩大 LPDDR5X 委外封测订单，力成作为主要受益厂商，充分发挥自身在封装测试领域的技术优势与规模效应，成为美光成功路上的关键助力。
当前，美光正全力重兵部署 HBM 产能，计划在 2025 年下半年将自身在 HBM 市场的占有率提升至 20% - 25%。然而，HBM 产能的扩张也带来了一系列连锁反应，其中就包括对 DDR5/LPDDR5X 相关产能的排挤。原本用于 DDR5/LPDDR5X 的封测产能，部分被转用于 HBM 封测，这使得 DRAM 封测产能整体紧张，美光不得不进一步扩大委外订单规模，力成等封测厂商也因此迎来更多业务机会。
与此同时，三大 DRAM 厂之间的竞争愈发白热化，战火从高频宽内存（HBM）领域迅速蔓延至高阶服务器内存市场。尽管力成此前传出有望拿下美光 HBM 订单，争取旧款 HBM2 封装商机，但随着三大 DRAM 厂将竞争焦点聚焦于 HBM4，力成也在积极调整战略布局。力成近期已陆续采购 HBM 热压键合（TCB）设备，这些设备的到位将助力其在 HBM3E 技术研发与生产上取得突破，预计在 2025 年下半年，力成在 HBM3E 布局上有望实现重大进展，从而在高阶内存封测市场竞争中占据更有利地位。
市场供需变化，其他厂商各有表现
在三大 DRAM 厂纷纷调整策略、激烈竞争的大背景下，整个内存市场的供需关系也在发生着深刻变化。三大 DRAM 厂先后宣布停产 DDR4，这一举措使得中国台湾厂家南亚科、华邦电等厂商的 DDR4 供货需求水涨船高。内存封测厂南茂也因此受益，其第 2 季内存接单表现优于预期。由于 DDR4 价格出现反弹，台系客户积极建立 DDR4 库存水位，南茂过去主要服务于利基型应用的 DDR4 业务订单量大幅增加。
此外，南茂在其他业务领域也有不同表现。受益于内存营收动能回升，南茂原本预计第 2 季内存业务整体表现优于显示驱动芯片（DDIC）产品，其中 NOR Flash 业务增长态势最为明显。而近期观察发现，DRAM 及 NAND Flash 市场需求同样超出预期，市场价格反弹显著，NOR Flash 则保持着原有预期的稳定增长。随着任天堂（Nintendo）Switch 2 上市预购火爆，南茂的 ROM 产品即将在第 3 季迎来传统备货旺季，出货量预计将较第 2 季实现显著增长。反观 DDIC 产品，在中国补贴政策结束后，第 2 季出货量陷入低迷，2025 年下半年需进一步观察客户新机发布后的市场反应，以判断是否能迎来旺季表现。
美光在 SOCAMM 领域的成功逆袭，不仅展现了其自身强大的技术实力与市场洞察力，也彰显了与力成等合作伙伴紧密协作的重要性。在高阶内存市场需求持续旺盛、竞争日益激烈的当下，各大厂商都在通过技术创新、产能调整与合作模式优化等手段，努力抢占市场先机。未来，随着 AI 技术的不断发展以及市场需求的进一步演变，高阶内存市场必将迎来更多变革与机遇，让我们拭目以待各大厂商在这一舞台上的精彩表现。