三星1c DRAM良率提升，良率突破助力HBM4量产提速

近日有消息称，三星电子在10纳米级第六代DRAM（即1c DRAM）的研发与生产方面取得重大进展，其良率已实现显著提升。这一突破不仅为HBM4高带宽存储器的量产铺平道路，也标志着三星在高端存储芯片领域的强势回归。
根据外媒透露，三星电子近期对搭载于HBM4的1c DRAM进行了晶圆良率测试，结果显示冷测试良率已达到约40%，热测试则稳定在50%至60%之间。而一年前，该制程的冷测试良率几乎接近于零。目前移动端1c DRAM的良率比HBM4版本还要高出约10个百分点。三星通过重新设计电路结构、优化热管理和电流分布等手段，有效提升了产品的一致性和稳定性。此前在实际测试中，产品虽能在高温环境下表现良好，但在低温条件下却普遍失效，如今这一难题已被攻克。
此次良率提升的背后，离不开三星在工艺细节上的持续优化。例如，在HBM4的封装对准和热量分布控制方面，三星加强了微米级误差补偿机制，并改善测试流程中的热均匀性管理。这些改进大幅降低了因温度集中或结构偏差导致的缺陷率，为后续大规模量产提供了坚实基础。
作为全球领先的存储芯片制造商之一，三星电子正积极推动1c DRAM的全面量产。目标是在今年内将冷测试良率进一步提升至60%，热测试则达到70%-80%区间，从而实现HBM4产品的商业化落地。这也将为其在人工智能、高性能计算及数据中心等高端应用领域提供更强有力的技术支撑。
据市场研究机构发布的报告显示，受AI市场需求强劲推动，SK海力士在今年第一季度DRAM营收首次超越三星，成为全球最大DRAM供应商。面对这一变化，三星加快技术迭代节奏，力求通过新一代DRAM的量产重夺市场份额。考虑到HBM是AI芯片的重要配套组件，1c DRAM良率的大幅提升无疑为三星重返行业领先地位注入了一剂强心针。
从当前的发展趋势来看，随着1c DRAM量产条件日益成熟，三星电子有望在下半年实现HBM4的大规模出货。若进展顺利，其在全球存储器市场的竞争力将进一步增强，也为整个DRAM产业的技术升级带来了新的推动力。未来，谁将在高带宽存储领域占据主导地位，值得持续关注。