铠侠新专利：提升半导体存储装置制造工艺

近日，据国家知识产权局的信息显示，铠侠股份有限公司申请了一项名为“半导体存储装置”的新专利，公开号为CN120187021A，申请日期为2024年8月。这一专利的提出，标志着铠侠在半导体存储技术领域的持续创新和突破。
该专利摘要指出，这项发明提供了一种能够适当制造的半导体存储装置。具体来说，这种新型半导体存储装置包括多个导电层、半导体柱、栅极绝缘膜以及第一绝缘部件等关键组件。这些组件共同作用，以确保装置能够在保持高性能的同时实现稳定可靠的制造工艺。
多层导电结构设计
在这项专利中，多个导电层是核心技术之一。其中包括多个第一导电层，它们在堆叠方向上层层叠加，并贯穿半导体柱区域、第一阶面区域及第二阶面区域，在第一方向延伸。此外，还有第二导电层和第三导电层，分别具有设置在第一阶面区域和第二阶面区域的阶面部。这样的设计不仅提高了存储密度，还增强了数据读写的稳定性。
优化的绝缘部件
为了进一步提升性能，该专利还引入了优化的第一绝缘部件，它包含使第一阶面区域在第一方向延伸的第一绝缘部，以及使第二阶面区域在相同方向延伸的第二绝缘部。特别值得注意的是，第二绝缘部在第二方向上的宽度小于第一绝缘部，这种设计有助于减少信号干扰，提高整体设备的工作效率。
栅极绝缘膜的重要性
栅极绝缘膜也是该专利中的一个重要组成部分，它位于多个导电层与半导体柱之间，包含电荷累积膜。通过这种设计，可以有效防止数据丢失，并确保数据传输过程中的高可靠性。这对于需要长时间稳定运行的数据中心、服务器以及各种工业应用来说尤为重要。
随着科技的发展，市场对高性能、高可靠性的存储解决方案需求日益增长。铠侠此次提出的专利正是针对这些需求进行的技术革新。通过不断优化制造工艺，铠侠致力于为全球客户提供更加先进和可靠的存储产品。
未来，随着这项专利技术的应用，预计将带来更高效能的闪存解决方案，推动智能手机、笔记本电脑、台式机及其他智能设备的性能提升。同时，也为数据中心、服务器等大规模数据处理场景提供了新的选择，助力各行各业加速数字化转型进程。