ASML携手蔡司迎接未来挑战，研发新一代EUV设备

在全球半导体行业迈向更高精度制程的道路上，阿斯麦（ASML）作为领先的半导体设备供应商，正积极研发下一代极紫外光刻（EUV）技术。这一前沿技术的研发旨在满足2035年及以后芯片制造的需求。据阿斯麦技术执行副总裁Jos Benschop向媒体透露，公司与光学合作伙伴蔡司正在共同研究如何实现单次曝光就能印刷出精细至5纳米电路的技术。
当前，阿斯麦刚刚开始交付能够实现单次曝光8纳米分辨率的最先进设备，而相比之下，较旧的设备需要多次曝光才能达到相似的效果，这不仅效率低下，还可能影响到最终产品的质量。Benschop指出，“我们正与蔡司合作进行设计研究，目标是开发数值孔径（NA）为0.7或更高的系统。”尽管目前还没有确定具体的上市时间表，但这项技术的进步对于未来的芯片制造业至关重要。
数值孔径（NA）是评估光学系统性能的关键指标之一，它决定了光线收集和聚焦的能力，进而影响到电路图案能否以高精度投影到晶圆上。通常来说，NA值越大、光波长越短，则打印分辨率越高。现有的标准EUV设备NA值为0.33，而最新一代High NA EUV设备则提升到了0.55。阿斯麦正致力于将NA值提高到0.7甚至更高，即所谓的“超高NA（Hyper NA）”，这意味着需要对多个关键系统进行重新设计。
截至目前，阿斯麦已经向英特尔和台积电交付了首批High NA EUV设备。然而，根据Benschop的说法，要实现大规模应用还需要一段时间。产业界首先需要验证新系统的性能，并开发相应的配套材料和技术。“此次新设备的推出与以往任何一次技术创新类似，通常需要几年的时间才能进入大规模生产阶段。客户也需要时间来学习如何操作这些新设备，但我相信它们很快就会被应用于高效能芯片的制造过程中。”
随着全球对高性能计算、人工智能以及5G通信等领域需求的增长，对于更先进芯片的需求也在不断上升。阿斯麦及其合作伙伴的努力正是为了确保半导体行业能够持续进步，满足未来市场和技术发展的要求。通过不断的创新和技术突破，阿斯麦正引领着全球半导体行业迈向更加辉煌的未来。