三星、SK海力士加码先进制程与存储技术，开启半导体产业新战局
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-06-30
一、三星、SK海力士2025年下半年扩大DRAM产能，设备商迎来机遇
三星电子与SK海力士计划于2025年下半年启动DRAM产能扩张计划，重点投资第六代10纳米级（1c）DRAM生产线。三星已在平泽P4园区启动首条1c DRAM量产线，并计划将华城17号线转换为1c产能，预计每月新增4万片晶圆产能。SK海力士则通过M15X工厂建设推进尖端DRAM和HBM量产，尽管近期因客户需求延迟调整了设备导入节奏，但长期仍看好AI驱动的高端存储市场。
这一扩产计划直接利好韩国本土设备供应商。Wonik IPS、Eugene Technology等企业将承接刻蚀、薄膜沉积等关键设备订单，周星工程（Jusung Engineering）则有望参与洁净室与自动化产线建设。值得关注的是，SK海力士最新开发的1c DDR5 DRAM能效提升9%，数据中心应用可降低30%电费，其量产将进一步巩固韩国在高端存储领域的优势。
二、三星第二代2纳米SF2P制程进入商业化倒计时，AI芯片成突破口
三星电子正加速推进第二代2纳米（SF2P）工艺的客户推广，其PDK（工艺设计工具包）已开发至0.9版本，预计7月发布1.0版本后正式向外部客户开放。与第一代2纳米工艺相比，SF2P性能提升12%、功耗降低25%，并首次应用于AI CPU芯粒（Chiplet）平台——由三星、AD Technology、Arm和Rebellions联合开发的AI芯片将采用该工艺，计划2026年量产。
值得注意的是，三星代工部门已调整策略，优先将SF2P工艺提供给外部客户，而非用于自家Exynos移动芯片。这一转变旨在争夺英伟达、AMD等AI芯片巨头的订单。业内人士透露，高通正与三星协商2纳米移动AP生产，预计2026年下半年在Galaxy Z Fold8等折叠屏手机中率先采用。
三、三星12层HBM4样品7月送样，剑指英伟达、AMD市场
三星电子已完成第六代高带宽存储器（HBM4）12层样品（36GB）的内部评估，计划7月初向英伟达、AMD交付测试。该产品首次采用1c DRAM技术，通过结构优化将能效提升15%，目标直指英伟达2026年发布的Rubin AI芯片平台。为抢占市场，三星同步推进16层HBM4（48GB）研发，预计8月送样。
不过，三星在HBM领域仍面临挑战：其HBM3E芯片尚未通过英伟达认证，原计划6月完成的认证已推迟至第四季度。相比之下，SK海力士凭借HBM3E的先发优势，2025年第一季度DRAM市场份额达36%，首次超越三星。但三星通过1c DRAM良率的快速提升（目前接近量产水平），有望在HBM4世代缩小与竞争对手的差距。四、韩国AI初创Rebellions采用三星HBM3E，对标英伟达H100
韩国AI芯片新创公司Rebellions近期发布的NPU原型产品，搭载三星12层HBM3E存储芯片，目标性能直指英伟达H100/B100加速器。该产品采用Chiplet架构，将Rebellions的AI计算模块与三星2纳米制程的CPU芯粒集成，可实现每秒1.2PetaFLOPS的算力。
这一合作标志着三星在HBM生态建设上的突破。尽管HBM3E认证进度滞后，但三星已提前扩大产能，计划认证通过后立即向Rebellions及其他AI芯片客户供货。业内预测，随着AI服务器需求激增，搭载HBM3E的NPU将在2026年进入主流市场，三星有望借此扭转HBM3世代的被动局面。
产业格局与未来展望
当前半导体行业正经历技术迭代与市场重构：三星通过2纳米工艺和HBM4技术双线突破，试图重塑代工与存储市场格局；SK海力士凭借HBM优势巩固DRAM龙头地位；美光则加速HBM4布局，计划2026年量产36GB产品。随着AI、数据中心等需求爆发，设备商与材料供应商将迎来结构性增长机遇，而制程与封装技术的突破将成为竞争核心。未来两年，韩国半导体产业的技术落地速度与客户拓展能力，将直接影响全球供应链的权力版图。
关闭返回