ASML加速推进新一代Hyper NA EUV光刻机的研发，助力5纳米单次曝光成像

全球领先的半导体设备供应商阿斯麦（ASML）正在全力开发下一代Hyper NA极紫外（EUV）光刻机，为未来十年芯片产业的发展奠定坚实基础。根据ASML内部人员Jos Benschop的介绍，公司正与光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）紧密合作，致力于开发能够实现单次曝光达到5纳米分辨率的EUV光刻机，以满足2035年后先进制程的需求。
目前，ASML最先进的EUV光刻设备单次曝光的分辨率为8纳米。为了达到更高的精度，常规设备通常需要进行多次曝光，这不仅降低了效率，还限制了生产良率。Benschop指出，通过提升数值孔径（NA），ASML与蔡司正在加速设计研究，旨在将NA值提升至0.7以上，尽管这一新型设备的具体商用时间表尚未明确。
数值孔径（NA）是评估光学系统聚光和聚焦能力的关键参数，直接影响到电路图案在硅芯片上的转印精度——NA值越大、波长越短，则分辨率越高。当前标准EUV光刻机的NA值为0.33，而最新的高NA EUV设备已突破至0.55。ASML的目标是迈向NA值为0.7的“超高NA（Hyper NA）”，以实现更精细的芯片制造工艺。
此次研发努力展示了ASML面对未来挑战的决心以及对技术进步的持续追求。随着半导体行业对于更高性能计算、人工智能和5G通信等领域需求的增长，提高芯片制造精度成为关键。Hyper NA EUV光刻机的成功开发预计将大幅提升芯片制造的效率和质量，推动整个行业的进步和发展。这也预示着，在不久的将来，我们将见证更加先进的技术产品问世，进一步丰富我们的数字生活。