美光1γ节点制程技术助力LPDDR5X存储器性能提升15%，功耗降低20%

近日，全球领先的存储器制造商美光宣布，已经开始交付采用10纳米级1γ制程技术的LPDDR5X存储器产品。这是美光第六代10纳米级别的1γ DRAM产品，同时也是公司首次使用EUV（极紫外）微影曝光技术制造的移动解决方案，标志着在容量密度方面取得了业界领先地位。
为了实现更高的速率、更优化的设计以及更小的芯片尺寸，美光采用了包括下一代高K金属栅极技术在内的CMOS技术来提升晶体管性能。这些改进为1γ DRAM节点制程技术带来了功耗降低和性能扩展的双重优势。美光还公布了基于1γ节点制程技术生产的LPDDR5X存储器的具体情况。
据Tom’s Hardware报道，在2025年第三季度财报会议上，美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra介绍了采用1γ节点制程技术的LPDDR5X存储器的进展，强调新产品性能卓越，并且良率提升速度超越了前一代1β DRAM节点制程技术的记录。预计本季度内将完成几个关键的产品里程碑。
根据美光的说法，与1β DRAM节点制程相比，新一代1γ DRAM节点制程的产品能够将DRAM功耗降低20%，同时性能提高15%，并且位元密度提高了30%。一旦1γ DRAM节点制程技术产品的良率达到与1β相近的水平，转移到生产上后，将进一步大幅降低生产成本。
除了LPDDR5X之外，美光早前已经将1γ DRAM节点制程技术应用于DDR5。Sanjay Mehrotra指出，美光计划在整个DRAM产品线中引入1γ DRAM节点制程技术，未来还将用于GDDR7和针对数据中心的产品中。
值得一提的是，近期韩国媒体报道称，三星电子移动（MX）事业部Galaxy S25系列手机采用美光LPDDR5X DRAM的比例将达到60%，而自家半导体（DS）事业部则占40%。这与市场预期DS事业部占据多数订单的观点相反，显示出三星供应链策略的重大调整，同时也证明了美光技术的进步得到了市场的广泛认可。
通过持续的技术创新和工艺改进，美光不仅推动了存储器技术的发展，也为智能手机、数据中心等多个领域提供了更加高效、节能的解决方案。随着1γ节点制程技术的广泛应用，我们有理由相信，未来的电子产品将在性能和能效方面迎来更大的突破。