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台积电前研发处长杨光磊:美国制裁推动中国芯片产业自主创新

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-07-01
台积电前研发处长杨光磊在访谈节目《永康新世界》中提到,美国近年来对中国企业的制裁措施,实际上已经将中国企业逼到了绝境。面对这样的挑战,中国企业对核心技术的自主可控有了深刻且清晰的认识,并全力以赴攻克技术难关,尤其是在浸润式光刻机和极紫外(EUV)光刻机领域。
杨光磊指出,起初他认为光刻机是最难以突破的技术瓶颈之一。然而,中国企业不仅努力攻克了这些难题,还利用从阿斯麦(ASML)购买的深紫外(DUV)光刻机制作出了先进的芯片。这种情况下,中国企业为了生存和发展,必然会在技术研发上加大投入,通过自主研发技术在国际市场上反击美国的制裁。
在美国对中国企业实施全面制裁之后,中国企业面临着无法获取英伟达先进AI芯片、芯片制造商无法获得海外制造设备等困境。特别是中国台湾的台积电也因美国禁令限制了来自中国大陆企业的芯片订单。这导致中国的芯片技术发展被限制在14纳米节点以内。
荷兰芯片制造商ASML的CEO富凯在接受BBC专访时表示,美国联合其他国家和地区阻止向中国出售用于制造先进芯片所需的设备,旨在遏制中国芯片技术的发展。美国允许中国自主研发芯片,但条件是技术水平不能超过美国两代以上。华为公司在通信技术和芯片设计上的成就,尤其是其技术进步超越或接近美国水平,成为美国打压中国企业的关键原因。
全球芯片产业链高度依赖国际合作。尽管晶体管和芯片是由美国工程师发明的,但要制造出最先进的芯片仍需依赖荷兰ASML的设备、日本的材料以及中国台湾的台积电工厂。美国芯片企业依赖中国市场盈利,而中国企业则需要美国芯片来生产消费产品。然而,美国政府单方面切断这种合作关系,牺牲双方经济利益对中国实施技术封锁,这对中美两国的企业都是不利的。
这种做法促使中国企业意识到自主技术创新的重要性,开始大量投资解决关键技术瓶颈。据国际技术机构Techinsights发布的文章显示,中国企业即使在重重封锁下,依然解决了手机芯片供应问题,并达到了7纳米的技术节点。中国企业采取低调策略推进技术进步,在实现重大突破后才会公开宣布成果。
美国经济历史学家克里斯·米勒在其著作《Chip War》中提到,中国工程师团队采用了一种谨慎命名方式(如N代表节点),以避免引起美国政府的关注。这种方式既保护了技术开发进度,又降低了被美国政府特别关注的风险。
自2018年起,中国芯片企业便开始了默默耕耘的道路。ASML公司的CTO马丁·范登布林克在访问中国时发现,尽管当时中国企业的光刻机技术看似停滞在90纳米节点,但实际上正在尝试开发更先进的浸润式系统。对于处于逆境中的中国企业而言,虽然这条路充满挑战,但却是掌握自主技术必须迈出的关键一步。