三星加速平泽晶圆厂建设，全力争夺HBM4市场

据韩国中央日报报道，三星正在加快其位于京畿道平泽的晶圆厂建设步伐，以期在高频宽存储器（HBM）市场中重新夺回被SK海力士和美光抢占的市场份额。此前数月，由于芯片需求疲软及内部资本配置考虑，P4和邻近的P5厂房建设曾一度暂停。
最近，三星获得了平泽市政府颁发的关键核准，特别是针对P4厂房的多个临时使用许可，最新一次是在6月初。这些许可允许三星在全面竣工前有限度地使用部分场地，包括安装设备、试运营或允许受限工作人员进入。
自2024年初以来，三星积极扩大生产规模，旨在通过下一代HBM4产品重获存储器市场的领导地位。为支持HBM4的生产并提升目前约40%的良率，三星加大投资力度，扩展平泽二期与四期以及华城17号线的产能。尽管三星发言人未对此计划发表评论，但市场普遍认为这是其争取HBM4市场主导权的重要举措。
三星押注先进的10纳米级1c制程用于即将推出的HBM4产品，这与SK海力士和美光计划使用的前一代1b制程形成对比。尽管1c制程未必性能更优，但三星强调这是其竞争优势之一。4月财报会议上，三星透露正准备下半年启动HBM4量产，目标在第三季度前完成内部批准并稳定良率。这一时间表极具挑战性，因为分析师指出尽管1c制程良率有所改善，但仍处于发展阶段。
摩根士丹利最新报告指出，三星可能在9月前获得英伟达Rubin GPU的HBM4样品认证，成为关键催化剂。获得认证后，不仅有庞大的潜在市场使三星股价反弹，还能重塑HBM格局。英伟达认证对三星在HBM市场的地位至关重要，不仅关乎实力，更直接影响市占率和投资者信心。
然而，三星面临的挑战不容忽视。市场分析师警告称，英伟达的认证流程将比三星内部基准更为严格，尤其是在速度和功耗方面的要求。目前，三星的12层堆叠HBM3E产品尚未获得英伟达的认证，而竞争对手SK海力士和美光均已跨过这一里程碑。实际上，SK海力士已向英伟达出货了早期的HBM4样品，进一步凸显了三星在HBM4竞赛中的压力。
此外，三星在扩大生产规模方面也面临技术瓶颈和复杂的芯片架构。HBM4带宽的升级需要更密集的导通孔和更复杂的硅穿孔结构，使得制造过程显著更加困难。这些技术挑战不仅考验着三星的工程能力，也对其生产良率和成本控制提出了严峻考验。
尽管如此，存储器市场的整体情绪依然乐观，这得益于人工智能领域的持续强劲需求。市场分析师表示，全球HBM市场将在2025年达到133.4%的年增长率，金额达到430亿美元，并预计随着2028年英伟达搭载1TB内存的Rubin Ultra全面部署，市场规模将飙升至1350亿美元。这表明HBM作为AI应用关键组件的战略地位非常关键。
因此，尽管三星在英伟达的HBM3E认证上仍在努力，但其产品已获得其他主要客户的青睐。例如，美国超微（AMD）于6月12日推出了配备由三星和美光供应的288GB 12层堆叠HBM3E内存的MI350 AI GPU。未来能否同样获得英伟达的认证，仍有待观察。三星在HBM市场的努力无疑将对未来的市场格局产生重要影响。